منو اصلی
ورود یا عضویت
صفحه اصلی
خدمات
ترجمه انگلیسی به فارسی
ترجمه فارسی به انگلیسی
ویرایش نیتیو مقاله ISI
قیمت ترجمه
راهنما
راهنمای ارسال سفارش ترجمه
راهنمای ارسال سفارش ویرایش مقاله ISI
ضمانت خدمات
تحویل چند مرحله ای سفارش
حق مالکیت معنوی سفارشات
دپارتمان ها
علوم انسانی
فنی و مهندسی
علوم پایه
علوم پزشکی
هنر
کشاورزی
زبان های خارجی
فنی و حرفه ای
علمی و کاربردی
ورود یا عضویت
مقالات ترجمه شده در زمینه
ترانزیستور اثر میدانی
-
مهندسی کامپیوتر و IT
لیست مقاله های ترجمه شده مهندسی کامپیوتر و IT در رابطه با ترانزیستور اثر میدانی در این بخش قابل مشاهده بوده و می توانید مقاله های انگلیسی مهندسی کامپیوتر و IT با ترجمه فارسی آن در رابطه با ترانزیستور اثر میدانی را در ادامه مشاهده و دانلود فرمایید.
برای مشاهده همه مقالات ترجمه شده مهندسی کامپیوتر و IT به صورت موضوع بندی شده کلیک کنید
Novel and general carbon nanotube FET-based circuit designs to implement all of the 39 ternary functions without mathematical operations
Microelectronics Journal , 2013 , 8 Pages, 2 Mb, PDF
طراحی مدارات مبتنی بر ترانزیستور اثر میدانی نانو تیوب کربنی برای پیاده سازی کلیه توابع سه گانه 39 بدون عملیات های ریاضیاتی
، سخت افزار، 18 صفحه فارسی تایپ شده ، 742 کیلو بایت WORD
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
قیمت :
765,000 ریال
شناسه محصول:
2004931
خرید ترجمه فارسی و دانلود
Implementation of Ternary Logic Gates using CNTFET
International Journal for Scientific Research & Development , 2014 , 5 Pages, 401 Kb, PDF
پیاده سازی گیت های منطق سه گانه با استفاده از CNTFET ها
، سخت افزار، 17 صفحه فارسی تایپ شده ، 414 کیلو بایت WORD
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
قیمت :
520,000 ریال
شناسه محصول:
2004928
خرید ترجمه فارسی و دانلود
Differential Cascode Voltage Switch (DCVS) Strategies by CNTFET Technology for Standard Ternary Logic
Microelectronics Journal , 2013 , 13 Pages, 5 Mb, PDF
استراتژیهای سویچ ولتاژ کاسکود تفاضلی (DCVS ) برای تکنولوژی CNTFET برای منطق سه گانه
، سخت افزار، 32 صفحه فارسی تایپ شده ، 2 مگا بایت WORD
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
قیمت :
815,000 ریال
شناسه محصول:
2004929
خرید ترجمه فارسی و دانلود
Tunnel FET technology: A reliability perspective
Microelectronics Reliability , 2014 , 14 Pages, 6 Mb, PDF
تکنولوژی تونل FET: دیدگاهی از قابلیت اطمینان
، سخت افزار، 23 صفحه فارسی تایپ شده ، 9 مگا بایت WORD
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
قیمت :
1,235,000 ریال
شناسه محصول:
2003845
خرید ترجمه فارسی و دانلود
1
برای یافتن منابع بیشتر در زمینه
ترانزیستور اثر میدانی
و رشته
مهندسی کامپیوتر و IT
از
بخش جستجوی پیشرفته
استفاده نمایید. یا سایر
کلمات کلیدی مهندسی کامپیوتر و IT
را ببینید.
چرا پورتال پویان؟
ضمانت خدمات
حق مالکیت معنوی سفارشات
امکان پرداخت قسطی هزینه ها
امکان تحویل چند مرحله ای سفارش
راهنما
راهنمای ارسال سفارش ترجمه
راهنمای ارسال سفارش ویرایش
تخمین زمان و هزینه ترجمه
ارسال درخواست پشتیبانی
×
ورود به صفحه شخصی یا عضویت جدید
نام کاربری (ایمیل)
*
کلمه عبور:
*
کلمه عبور خود را فراموش کرده اید؟
برای عضویت جدید در پویان کلیک کنید