چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟
فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2008686 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
حجم فایل فارسی :
1 مگا بایت
نوع فایل های ضمیمه :
Pdf+Word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com
عنوان فارسي
مطالعات شبیه سازی دو بعدی پیرامون پشته سیلیکون بی شکل به عنوان میدان سطح جلو برای سلول های خورشیدی با اتصال عقب بهم قفل شده
عنوان انگليسي
Two dimensional simulation studies on amorphous silicon stack as front surface field for interdigitated back contact solar cells
این مقاله چند صفحه است؟
این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 9 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 23 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است
چکیده
سلول های خورشیدی با اتصال عقب بهم قفل شده (IBC)، به علت ساختار منحصر به فردشان، ظرفیت خوبی را برای داشتن بازده بالا دارند. سلول های خورشیدی IBC نیاز به کیفیت بالای اثر ناپذیری سطح جلو دارند. در این کار، شبیه سازی های عددی دو بعدی برای بررسی ظرفیت میدان سطح جلوی (FSF) عرضه شده توسط پشته لایه های ناخالص نوع n و سیلیکون بی شکل (a-Si) ذاتی روی سطح جلوی سلول های خورشیدی IBC، انجام شده است. نتایج شبیه سازی، به وضوح مشخص می کنند که میدان الکتریکی FSF، باید به اندازه کافی قوی باشد تا حامل های اقلیت و حامل های اکثریت انباشته در نزدیکی سطح جلو را دفع کند. با این وجود، میدان الکتریکی بسیار قوی، تمایل دارد که الکترون ها را به لایه a-Si هدایت کند که این منجر به تلفات بازترکیب شدید می شود. لایه سیلیکون بی شکل ناخالص نوع n (n-a-Si)، بر حسب سطح و ضخامت ناخالصی، بهینه شده است. لایه سیلیکون بی شکل ذاتی (i-a-Si) باید تا حد ممکن نازک و با یک شکاف باند انرژی (Eg) بزرگتر از eV 1/4 باشد. به علاوه، شبیه سازی های عیوب سطح مشترک، قویا پیشنهاد می کنند که FSF، یک بخش ضروری، در مواقعی است که سطح جلو کاملا اثر ناپذیر نشده باشد. بدون FSF، سلول های خورشیدی IBC، نسبت به تراکم عیوب سطح مشترک، حساس تر می شوند.
1-مقدمه
سلول های خورشیدی با اتصال عقب بهم قفل شده (IBC)، به علت مزایای ذات خود، توجه زیادی را به خود جلب کرده اند [1]. قرار دادن همه الکترودها روی سطح پشتی، تلفات سایه را کم کرده و منجر به یک Jsc بالا و بهینه سازی مستقل سطح جلو می شود [2]. مقاومت سری می تواند با به کار بردن نسبت بالایی از سطح فلزکاری در سمت عقب کاهش یابد. جلوگیری از جریان جانبی در لایه ناخالص شده نیز به کاهش مقاومت سری داخلی، کمک می کند....
سیلیکون بی شکل میدان سطح جلو سلول های خورشیدی
:کلمات کلیدی
Abstract
Interdigitated back contact (IBC) solar cells have great potential for high efficiency because of their unique structure. IBC solar cells demand for high quality of front surface passivation. In this work, 2D numerical simulations have been done to investigate the potential of front surface field (FSF) offered stack of n-type doped and intrinsic amorphous silicon (a-Si) layers on the front surface of IBC solar cells. Simulations results clearly indicate that the electric field of FSF should be strong enough to repel minority carries and cumulate major carriers near the front surface. However over-strong electric field tends to drive electrons into a-Si layer leading to severe recombination loss. The n-type doped amorphous silicon (n-a-Si) layer has been optimized in terms of doping level and thickness. The optimized intrinsic amorphous silicon (i-a-Si) layer should be as thin as possible with an energy band gap (Eg) larger than 1.4 eV. In addition, the simulations concerning interface defects strongly suggest that FSF is an essential part when the front surface is not passivated perfectly. Without FSF, the IBC solar cells become more sensitive to interface defect density.
Keywords:
Amorphous silicon Front surface field Simulations
سایر منابع مهندسی برق در زمینه سلول خورشیدی