چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟
فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2008666 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
حجم فایل انگلیسی :
867 Kb
حجم فایل فارسی :
950 کیلو بایت
نوع فایل های ضمیمه :
pdf+word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com
عنوان فارسي
کاشت یونی برای "سلول های خورشیدی اتصال پشتی پیوند از پشت " فعال شده با پلی سیلیکون
عنوان انگليسي
Ion Implantation for Poly-Si Passivated Back-Junction Back-Contacted Solar Cells
نویسنده/ناشر/نام مجله
IEEE Journal of Photovoltaics
این مقاله چند صفحه است؟
این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 8 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 20 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است
چکیده
در این مقاله به مطالعه کاشت یونی برای دوپینگ الگودار "سلول های خورشیدی اتصال پشتی پیوند از پشت" با پیوندهای سیلیکونی پلی کریستالی- تک کریستالی می پردازیم. به ویژه به بررسی مفهوم کانتردوپینگ، که فرایندی است که ابتدا در آن امیتر سطحی کاشته می شود و بعد از آن امیتر با اعمال کاشت یونی ماسک شده برای BSF (Back Surface Field) به صورت محلی جبران سازی می شود، می پردازیم. در ساختارهای تست مسطح با کاشت سطحی، چگالی جریان های اشباع 
کمتر از 
را برای ویفرهای فعال شده با لایه های پلی- سیلیکون که کاشت فسفر در آن ها انجام شده است و 
برای ویفرهایی که با لایه های پلی- سیلیکونی که کاشت بور در آن ها انجام شده است اندازه می گیریم. عوامل pseudofill متناظر 
به ترتیب برابرند با 87.3% و 84.6%. ساختارهای ساخته شده با فرایند کانتردوپینگ روی کل ناحیه، نشان دهنده رفتار بازترکیب عالی (
) می باشد. برعکس، نمونه هایی که نواحی کانتردوپ الگودار دارند، رفتار بازترکیب نسبتا بدی نشان می دهند که ضریب ایده آلی مکانیسم بازترکیب غالب آن n>1 می باشد. مقایسه با ساختارهای تست با کاشت سطحی نشان دهنده بازترکیب در ناحیه بار فضایی داخل لایه پلی- سیلیکون با نقائص زیاد می باشد. در نتیجه، ما از یک ناحیه بدون دوپینگ بین امیتر و BSF استفاده می کنیم تا از تشکیل پیوندهای p+/n+ در پلی- سیلیکون اجتناب شود.
1-مقدمه
اهمیت بازده تبدیل انرژی بالا به خاطر نیاز به متعادل سازی هزینه های سیستم اخیرا رو به افزایش بوده است [1]. سلول های اتصال پشتی پیوند از پشت (BJBC) سلول های بازده بالای پرآتیه ای هستند، مخصوصا به خاطر نداشتن سایه اندازی نوری [2]. همچنین برای این که بخواهیم تلفات بازترکیب را حداقل کنیم، ترکیب ساختار BJBC با پیوندهای انتخابی حامل (برای یک نوع حامل شفاف است و نوع دیگر حامل را سد می کند) مطلوب می باشد. گروه های متعددی موفق به تحقق امیتر و BSF با استفاده از سیلیکون آمورف هیدروژنه (Si:H/ تک کریستالی) سیلیکون پیوند ناهمگون (HJT) شده اند[3]-[5]، حتی رکورد جهانی جدیدی برای بازده سلول های خورشیدی بدست آمده است که برابر است با 25.6% [3]. با این حال، از آنجا که الگودار کردن لایه های a-Si بسیار چالش برانگیز است، تولید HJT-BJBC بسیار دشوار است. یک جایگزین پرآتیه برای HJT، پیوندهای پلی –Si/c- Si می باشند که کیفیت پسیوسازی خوبی را حتی در نواحی فلز شده فراهم می کند ...
سلول های خورشیدی اتصال پشتی اتصالات انتخابی حامل کاشت یونی
:کلمات کلیدی
Abstract
We study ion implantation for patterned doping of back-junction back-contacted solar cells with polycrystalline–monocrystalline Si junctions. In particular, we investigate the concept of counterdoping, that is, a process of first implanting a blanket emitter and afterward locally overcompensating the emitter by applying masked ion implantation for the back surface field (BSF) species. On planar test structures with blanket implants, we measure saturation current densities J0 ,poly of down to 1.0 ± 1.1 fA/cm2 for wafers passivated with phosphorus-implanted poly-Si layers and 4.4 ± 1.1 fA/cm2 for wafers passivated with boron-implanted poly-Si layers. The corresponding implied pseudofill factors pF Fim p l. are 87.3% and 84.6%, respectively. Test structures fabricated with the counterdoping process applied on a full area also exhibit excellent recombination behavior (J0 ,p o ly = 0 .9 ± 1.1 fA/cm2 , pF Fim p l. = 84 .7%). By contrast, the samples with patterned counterdoped regions exhibit a far worse recombination behavior dominated by a recombination mechanism with an ideality factor n > 1. A comparison with the blanket-implanted test structures points to recombination in the space charge region inside the highly defective poly-Si layer. Consequently, we suggest introducing an undoped region between emitter and BSF in order to avoid the formation of p+ /n+ junctions in poly-Si.
Keywords:
Boron Junctions Doping Ion implantation Silicon
سایر منابع مهندسی برق در زمینه سلول های خورشیدی