چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟
فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2008633 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
حجم فایل فارسی :
1 مگا بایت
نوع فایل های ضمیمه :
Pdf+Word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com
عنوان فارسي
مدارهای سه گانه چند-Vt توسط تکنولوژی ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی برای کاربردهای کم ولتاژ و توان پایین
عنوان انگليسي
Multi-Vt Ternary Circuits by Carbon Nanotube Filed Effect Transistor Technology for Low-Voltage and Low-Power Applications
نویسنده/ناشر/نام مجله
Journal of Computational and Theoretical Nanoscience
این مقاله چند صفحه است؟
این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 9 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 20 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است
چکیده
منطق چند ارزشی در کاهش اتصالات روی تراشه سودمند است، که یک چالش جدی در الکترونیک مقیاس نانومتری میباشد. بلوک های سه تایی جدید با هدف رسیدن به راندمان بالا و کاهش تعداد ترانزیستورها، در این مقاله ارائه شده است. ویژگی های منحصر به فرد ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی، مدار چند-Vt با انعطاف پذیری ارائه میدهد که برای طرح های سه تایی بسیار ضروری است. تمام ساختارهای پیشنهادی در شرایط مختلف با استفاده از Synopsys HSPICE و مدل SPICE مبتنی بر CNTFET 32 نانومتر شبیه سازی میشود. نتایج شبیه سازی، حاکی از برتری طرح های پیشنهادی از نظر راندمان عملکرد است. آنها در کاربردهای ولتاژ کم، توان پایین، قابل استفاده هستند. شبیه سازی های تکمیلی نیز برای بررسی اثرات تغییرات PVT انجام میشوند.
1-مقدمه
میزان بالایی از سطح تراشه به اتصالات اختصاص داده شده است. منطق چند ارزشی (MVL)، پیچیدگی اتصالات روی تراشه را از لحاظ لایه بندی، مسیریابی، و پین آوت حل میکند، که به نوبه خود، منجر به سطح تراشه کمتر میشود. علاوه بر این، MVL از سرعت محاسباتی بالاتر، استفاده بهتر از کانال، و تراکم اطلاعات بیشتر بر روی یک خط نسبت به منطق دودویی مرسوم، بهره میبرد. بنابراین، چشم انداز خوبی برای MVL در آینده نزدیک وجود دارد...
ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی
:کلمات کلیدی
Abstract
Multiple-Valued Logic is advantageous in reducing on-chip interconnections, which is a serious challenge in nanometer-scale electronics. New ternary blocks are proposed in this paper with the aim of reaching high efficiency and reducing transistor count. Unique characteristics of carbon nanotube field effect transistors provide multi-Vt circuitry with the flexibility which is highly essential for ternary designs. All presented structures are simulated in various conditions by using Synopsys HSPICE and 32 nm CNTFET-based SPICE Model. Simulation results demonstrate the superiority of the proposed designs in terms of performance efficiencies. They are applicable in low-voltage, low-power applications. Supplementary simulations are also performed to investigate PVT variations effects.
Keywords:
Ternary Buffer Ternary Half Adder Ternary Full Adder
سایر منابع مهندسی برق در زمینه ترانزیستور نانو