دانلود مقاله ترجمه شده ترانزیستور تک الکترونی: کاربردها و مشکلات


چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟

فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2008556 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید

قیمت :
880,000 ریال
شناسه محصول :
2008556
سال انتشار:
2010
حجم فایل انگلیسی :
142 Kb
حجم فایل فارسی :
53 کیلو بایت
نوع فایل های ضمیمه :
Pdf+Word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com

عنوان فارسي

ترانزیستور تک الکترونی: کاربردها و مشکلات

عنوان انگليسي

Single electron transistor: applications & problems

نویسنده/ناشر/نام مجله

International journal of VLSI design & Communication Systems

این مقاله چند صفحه است؟

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 6 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 9 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است

چکیده فارسی

چکیده

هدف این مقاله مرور مختصرفیزیک دیوایس نانوالکترونیکی ترانزیستور تک الکترونی (SET) و کاربردها و مشکلات آن ها است. کارکرد SET مبتنی بر انتقال قابل کنترل الکترون های تکی بین Islandهای هادی کوچک است. ویژگی های کوانتوم مکانیکی ماده ویژگی غالب این دیوایس هاست و مشخصات جدید مانند نوسان کولن و انسداد کولن فراهم می آوردند که در برخی کاربردها می تواند مفید باشد. در آینده نزدیک SET می تواند با یک ترانزیستور سیلیکونی دامنه را برش داده و چگالی دیوایس را بهبود دهد. تحقیقات اخیر در زمینه SET ایده های جدیدی را پیشنهاد می دهند که برای متحول کردن حافظه های دسترسی تصادفی (RAM) و فناوری های ذخیره سازی داده دیجیتال در حال انجام هستند.

 

 

نانوالکترونی ترانزیستور تک الکترونی انسداد کولن :کلمات کلیدی

چکیده انگلیسی

Abstract

The  goal  of  this  paper  is  to  review  in  brief  the  basic  physics  of  nanoelectronic  device  single-electron transistor [SET] as well as prospective applications and problems in their applications. SET functioning based  on  the  controllable  transfer  of  single  electrons  between  small  conducting  "islands".  The  device properties  dominated  by  the  quantum  mechanical  properties  of  matter  and  provide  new  characteristics coulomb  oscillation,  coulomb  blockade that  is  helpful in  a  number  of applications.  SET  is  able  to shear domain  with  silicon  transistor  in  near  future  and  enhance  the  device  density.  Recent  research  in  SET gives  new  ideas  which  are  going  to  revolutionize  the  random  access  memory  and  digital  data  storage technologies.

Keywords: Nanoelectronics Single-electron transistor Coulomb blockade
این برای گرایش های: کلیه گرایش ها، کاربرد دارد. [ برچسب: ]
 مقاله مهندسی برق با ترجمه
کتابخانه الکترونیک
دانلود مقالات ترجمه شده
جستجوی مقالات
با انتخاب رشته مورد نظر خود می توانید مقالات ترجمه شده آن رو به صورت موضوع بندی شده مشاهده نمایید