چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟
فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2008548 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
حجم فایل انگلیسی :
292 Kb
حجم فایل فارسی :
359 کیلو بایت
نوع فایل های ضمیمه :
Pdf+Word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com
عنوان فارسي
ساخت ترانزیستورهای با تحرک الکترونی بالا GaAs/AlGaAs با گیت های 250 نانومتری، با استفاده از لیتوگرافی جابجاگر فاز همدیس
عنوان انگليسي
Fabrication of GaAsrAlGaAs high electron mobility transistors with 250 nm gates using conformal phase shift lithography
این مقاله چند صفحه است؟
این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 5 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 10 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است
چکیده
در این مقاله امکان ساخت ادوات الکترونیکی، در ابعاد کمتر از میکرون، با استفاده از روش لیتوگرافیِ(طرح نگاری) نرم تحقق بخشیده میشود. لیتوگرافی جابجاگر فاز همدیسِ نزدیک میدان، که گونه ای از تکنیک لیتوگرافی نرم میباشد، بر روی یک ابزار تابشی پهن باند، برای ساخت دندانه های گیت در ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا (HEMT) استفاده میگردید. ترانزیستورهای به وجود آمده مبتنی بر روش ذکر شده، گیت هایی به طول 250نانومتر و عرض40 میکرومتر دارند. هدایت انتقالی این ترانزیستور 4 mS بوده و پاسخ مشخصه جریان-ولتاژ آن، مشابه پاسخ جریان-ولتاژ در ترانزیستورهای HEMT معمولی و متداول میباشد.
1-مقدمه
از آنجاییکه استفاده از روش فوتولیتوگرافیِ( لیتوگرافی با نور) متداول، برای اعمال الگوها و طرح های مدنظر، گاها گران قیمت، مشکل و بنا بر توپوگرافی سطحی، غیر کاربردی میباشد، تعدادی روش لیتوگرافی غیر متداول، با هزینه کمتر گسترش یافتند. به کمک لیتوگرافی نرم، تکنیک های ارزان قیمتی، جهت اعمال الگوهایی در ابعاد کمتر از میکرون تا نانومتر، بر روی بسترهای مسطح و غیر مسطح، فراهم شده است. در بررسی های اخیر، تکنیک های لیتوگرافی نرم، شامل قالب بندی باریک، قالب بندی میکروانتقال و چاپ میکروتماسی برای ساخت اجزای الکترونیکی و مدارات ساده با ابعادی در محدوده 20 µm-50 µm به کار گرفته میشدند.
این مطالعات نشان میدهند، لیتوگرافی نرم در این مقیاس بزرگ، با روش های پردازشی که در ساخت ادوات معمولی استفاده میشوند، همخوانی دارد. روش لیتوگرافی نرم در ساخت ادوات الکترونیکی در مقیاس زیر میکرون، به کار نرفته بود. هدف این مقاله این است که، ساخت ترانزیستورHEMT با گیت هایی به طول250 nm را به روش لیتوگرافی جابجاگر فاز همدیسِ نزدیک میدان و با استفاده از استمپ های الاستومتری بررسی کرده و به این ترتیب، کاربرد روش لیتوگرافی نرم را در ساخت ادوات میکروالکترونیکی در ابعاد کمتر از میکرون نشان دهد....
نانوترانزیستور لیتوگرافی
:کلمات کلیدی
Abstract
This paper establishes the feasibility of soft lithography for fabrication of submicron-scale electronic devices. Near-field conformal phase shift lithography — a representative soft lithographic technique — was used on a broadband exposure tool to fabricate the gate Ž . fingers of a high electron mobility transistor HEMT . The gates of this proof-of-concept device had lengths of 250 nm and widths of 40 mm. The device had a transconductance of 4 mS and a current–voltage response similar to that of a conventional HEMT.
Keywords:
Phase shift Lithography Microfabrication
سایر منابع مهندسی برق در زمینه ترانزیستور نانو