چطور این مقاله مهندسی کامپیوتر و IT را دانلود کنم؟
فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2008502 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی کامپیوتر و IT در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
حجم فایل فارسی :
1 مگا بایت
نوع فایل های ضمیمه :
Pdf+Word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com
عنوان فارسي
کدگذاری کش STT-RAM آخرین سطح برای استقامت زیاد و توان کم
عنوان انگليسي
Coding Last Level STT-RAM Cache For High Endurance And Low Power
نویسنده/ناشر/نام مجله
IEEE Computer Architecture Letters
این مقاله چند صفحه است؟
این مقاله ترجمه شده مهندسی کامپیوتر و IT شامل 4 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 13 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است
چکیده
فن آوری STT-RAM به تازگی به عنوان یکی از فن آوری های حافظه نویدبخش ظاهر شده است. با این حال، مشکلات عمده آن یعنی استقامت نوشتن(تحمل تعداد نوشتن) محدود و انرژی نوشتن زیاد، هنوز مانع استفاده آن به عنوان جایگزین درج تصادفی در کش SRAM می شود. در این مقاله، ما یک طرح کدگذاری جدید برای کش سطح آخر STT-RAM بر اساس مفهوم محلیت مقدار پیشنهاد می کنیم. ما احتمال تعویض در کش را با مبادله الگوهای مشترک با کدهای وزن محدود (LWC) کاهش می دهیم تا نوشتن ها را کمتر کنیم و همچنین آن ها را یکنواخت تر سازیم. ما همچنین برخی سیاست ها را برای تعویض این الگوهای تعریف میکنیم. ارزیابی ما نشان می دهد که واریانس نوشتن بیت در سلول های حافظه می تواند در حدود 20٪ بطور متوسط تقلیل یابد، که موجب استهلاک یکنواخت بیشتر می شود و به طور مستقیم طول عمر را افزایش داده و قابلیت اطمینان سلول را بهبود می بخشد. علاوه بر این، نوشتن ها در خطوط کش را می توان حدود 12% در مقایسه با یکی از تکنیک های سطح مدار موثر شناخته شده به نام خاتمه نوشتن اولیه (EWT) ]12[ کاهش داد. روش ما زمان دسترسی سلسله مراتبی حافظه را در حدود 0.08٪ به طور متوسط افزایش می دهد، که قابل اغماض است. نشان داده ایم که روش ما تاثیر منفی بر تاخیر انرژی کش سطح آخر ندارد. غیر یکنواختی ناشی از طرح کدگذاری می تواند برای طرح کدگذاری دیگری در حافظه اصلی و یا حافظه نهان L1 بسته به فن آوری هایشان استفاده شود.
1-مقدمه
در سال های اخیر، تلاش های بسیاری از سوی دانشگاهیان و صنعت برای استفاده از فن آوری های حافظه غیرفرار در حال ظهور انجام شده است ، از قبیل حافظه دسترسی تصادفی گشتاور پیچشی اسپین انتقال (STT-RAM) و حافظه تغییر فاز (PCM) در سلسله مراتب حافظه. در بیشتر این تلاش ها، PCM به علت چگالی بالا و استقامت کم آن در حافظه اصلی و STT-RAM به دلیل پایایی بالاتر از PCM [1]، [9]، [13] در حافظه پنهان استفاده شده است...
STT-RAM حافظه نهان استقامت حافظه
:کلمات کلیدی
Abstract
STT-RAM technology has recently emerged as one of the most promising memory technologies. However, its major problems, limited write endurance and high write energy, are still preventing it from being used as a drop-in replacement of SRAM cache. In this paper, we propose a novel coding scheme for STT-RAM last level cache based on the concept of value locality. We reduce switching probability in cache by swapping common patterns with limited weight codes (LWC) to make writes less often as well as more uniform. We also define some policies for swapping these patterns. Our evaluation shows that bit write variance in memory cells can be reduced by about 20% on average resulting in a more uniform wear-out directly enhancing lifetime and improving cell reliability. In addition, writes in cache lines can be reduced by about 12% compared to one of the most effective circuit level techniques known as early write termination (EWT) [12]. Our method increases memory hierarchy access time by about 0.08% on average, which is negligible. We have shown that our method doesn’t adversely affect last level cache energy-delay2. The non-uniformity caused by the coding scheme can be used for another coding scheme at main memory or L1 cache depending on their technologies.
Keywords:
STT-RAM cache memory endurance
سایر منابع مهندسی کامپیوتر و IT در زمینه حافظه کش