دانلود مقاله ترجمه شده مدل پیوسته شارژشونده ترانزیستورهای بدون پیوند دوگیتی متقارن با طول کانال بزرگ

   چکیده

مدل پیوسته شارژشونده برای ترانزیستورهای بدون پیوند دوگیتی متقارن با طول کانال بزرگ (SDGJLTM)  پیشنهاد شده است و با شبیه سازی برای مقادیر غلطت های دوپینگ   5 × 1018 و    1 × 1019 cm−3 و همچنین برای ضخامت لایه از 10، 15 و 20 نانومتر ارزیابی شده است. این مدل یک مدل فیزیکی است که هردو موضوع کاهش مصرف و تجمع یا انباشتگی شرایط عملیاتی را در نظر گرفته است. اکثر پارامترهای مدل به کمیتهای فیزیکی مربوط می شود، و رویکرد استخراج برای هر یک از آنها به خوبی بیان شده است. این مدل توصیف دقیقی از رفتار ترانزیستور در تمام شرایط عملیاتی خواهد داشت. در مقایسه با مدل های قبلی مزایای این مدل گنجاندن اثر مقاومت سری و تححق بخشیدن به موضوع تقارن نسبت به Vd = 0 Vاست.

مقياس گذارى ترانزیستورMOS  به کاهش کنترل الکترواستاتیکی از بارهای الکتریکی در کانال ها کمک می کند. برای ترانزیستورهای با طول کانال برابر ده ها نانومتر، با تکنولوژی های ساده تر، ترانزیستور بدون پیوند (JLTs)  با غلظت دوپینگ غلظت ثابت از سورس به درین و احاطه شده توسط گیت، یک راه حل امیدوار کننده را نشان می دهند [1]...