دانلود مقاله ترجمه شده تکنولوژی 100mV 44-uW 2.4-GHz LNA در FinFET 16 نانومتری


چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟

فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2006721 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
قیمت :
695,000 ریال
شناسه محصول :
2006721
سال انتشار:
2016
حجم فایل انگلیسی :
641 Kb
حجم فایل فارسی :
359 کیلو بایت
نوع فایل های ضمیمه :
pdf+word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com

عنوان فارسي

تکنولوژی 100mV 44-uW 2.4-GHz LNA در FinFET 16 نانومتری

عنوان انگليسي

100-mV 44-uW 2.4-GHz LNA in 16 nm FinFET Technology

نویسنده/ناشر/نام مجله

IEEE, Microwave Symposium

این مقاله چند صفحه است؟

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 3 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 6 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است

چکیده فارسی

چکیده

برای دستیابی به ولتاژ بسیار پایین (ULV) و توان بسیار پایین (ULP)، ما طراحی زیرآستانه روی گیت و طراحی نزدیک سه قطبی روی پایانه های درین را تطبیق دادیم. تقویت کننده کم نویز پیشنهادی (LNA) به بهره توان 6.9 dB و معیار نویز (NF) 3.0 dB در 2.4GHz دست یافت. PDC در 100mv=Vdd برابر 44µW است. تطابق ورودی و خروجی به ترتیب -10.4dB و -5.7dB می باشد. LNA در تکنولوژی TSMC FinFET Plus CMOS ساخته شده است.

1-مقدمه

مدارهای مجتمع فرکانس رادیویی توان بسیار پایین (ULP) عنصر کلیدی برای طول عمر باتری شبکه های حسگر بی سیم برای اینترنت اشیا هستند. باتری هایی که جایگزینی سختی دارند، تکنولوژی برداشت انرژی را فراخوانی می کنند. عملکرد ولتاژ بسیار پایین (ULV) از آنجا که برداشت کنندگان گرمایی و خورشیدی تنها می توانند به ترتیب  25 تا 150 و 50 تا 225 میلی ولت برای انتقال بهینه فراهم آورند، امری ضروری شده است. تغذیه مستقیم برق از منبع انرژی ترجیح داده می شود زیرا مبدل DC-DC اضافی توان DC بیشتری مصرف می کند...

 CMOS تقویت کننده کم نویز LNA FinFET توان بسیار پایین (ULP) ولتاژ بسیار پایین (ULV) :کلمات کلیدی

چکیده انگلیسی

Abstract

To achieve both ultra-low-voltage (ULV) and ultra-low-power (ULP), we adopted the sub-threshold design on gate and near-triode design on drain terminals. The proposed low-noise amplifier (LNA) achieves a power gain of 6.9 dB and a noise figure (NF) of 3.0 dB at 2.4 GHz. The PDC is 44 μW under a VDD of 100 mV. The input and output matching are -10.4 dB and -5.7 dB, respectively. The LNA is fabricated in TSMC FinFET Plus CMOS technology

 Keywords: Gain Impedance Stability criteria Transistors Logic gates Circuit stability Noise measurement
این برای گرایش های: مهندسی برق الکترونیک، کاربرد دارد. سایر ، را ببینید. همچنین این در گرایش های: سخت ‌افزار، می تواند کاربرد داشته باشد. سایر ، را ببینید. [ برچسب: ]
مقاله مهندسی برق با ترجمه

سایر منابع مهندسی برق-مهندسی برق الکترونیک در زمینه ترانزیستور

Skip Navigation Linksصفحه اصلی > دپارتمان ها > دپارتمان فنی و مهندسی > مهندسی برق > مقاله های مهندسی برق و ترجمه فارسی آنها > تکنولوژی 100mV 44-uW 2.4-GHz LNA در FinFET 16 نانومتری
چرا پورتال پویان؟
ضمانت خدمات
حق مالکیت معنوی سفارشات
امکان پرداخت قسطی هزینه ها
امکان تحویل چند مرحله ای سفارش
کتابخانه الکترونیک
دانلود مقالات ترجمه شده
جستجوی مقالات
نمایش مقالات موضوع بندی شده
با انتخاب رشته مورد نظر خود می توانید مقالات ترجمه شده آن رو به صورت موضوع بندی شده مشاهده نمایید
دعوت به همکاری
تکمیل فرم همکاری جهت فروش فایل
وبلاگ ها
آموزش ترجمه و زبان ( 8 )
آموزش مقاله نویسی ( 21 )
نکات و آموزش دانشگاهی ( 1 )
عکس نوشته انگلیسی ( 104 )