دانلود مقاله ترجمه شده تحلیل اثرات دما بر مشخصه های I-V در ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی با ساختار ناهمگون


چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟

فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2006446 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
قیمت :
1,270,000 ریال
شناسه محصول :
2006446
سال انتشار:
2016
حجم فایل انگلیسی :
1 Mb
حجم فایل فارسی :
671 کیلو بایت
نوع فایل های ضمیمه :
Pdf+Word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com

عنوان فارسي

تحلیل اثرات دما بر مشخصه های I-V در ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی با ساختار ناهمگون

عنوان انگليسي

Analysis of Temperature Dependent Effects on I–V Characteristics of Heterostructure Tunnel Field Effect Transistors

نویسنده/ناشر/نام مجله

IEEE Journal of the Electron Devices Society

این مقاله چند صفحه است؟

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 8 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 22 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است

چکیده فارسی

چکیده

در این مقاله، تحلیل عوامل داخلی موثر بر وابستگی دمایی مشخصه های Id-Vds-Vgs در FET های تونلی با ساختار ناهمگون بر اساس پیوندهای تونل زنی GaSb/InAs ارائه می شود. وابستگی دمایی شکاف باند انرژی، جابجایی های انرژی محدودسازی کوانتومی، و موقعیت تراز فرمی اندازه گیری می شوند. اثرات مختلف به صورت قابل توجهی حذف می شوند، به طوری که انتظار می رود مشخصه های کلی Id-Vds-Vgs دارای وابستگی دمایی بسیار کمی از مرتبۀ جابجایی 10-20 میلی ولتی در gsV و در محدوده دمایی 0-125 درجۀ سانتی گراد باشند. نمونه هایی از اثرات خارجی مانند تونل زنی تله ای، که تاثیر ناپایداری بر بسیاری از قطعات آزمایشی دارند نیز مورد بحث و بررسی قرار می گیرند.

1-مقدمه

FET های تونلی (TFET) برای کاربردهای بالقوه در مدارهای دیجیتال، آنالوگ و مایکرو ویوی که با ولتاژهای تغذیۀ کم توان و کم اتلاف کار می کنند، به صورت فعالانه تحت مطالعه و بررسی هستند [1]-[6]. پیش بینی نوسان زیر آستانه ای آنها به میزان بسیار پایین تر از 60 میلی ولت در هر دهه باعث می شود تا TFET ها بتوانند با حساست به سیگنال های ورودی کوچک پاسخ دهند...

 FET تونلی با ساختار ناهمگون وابستگی دمایی :کلمات کلیدی

چکیده انگلیسی

Abstract

This paper provides an analysis of the intrinsic factors influencing the temperature dependence of the Id-Vds-Vgs characteristics of heterostructure Tunnel FETs based on GaSb/InAs tunneling junctions. The temperature dependence of energy bandgap, quantum confinement energy-shifts, and fermi-level position are quantified. There is significant cancellation among the various effects, such that the overall Id - Vds - Vgs characteristics are expected to have remarkably small temperature dependence, of the order of 10 - 20 mV shift in Vgs over the temperature range of 0 - 125 °C. Considerations are also discussed for representative extrinsic effects such as trap-assisted tunneling, which affect many experimental devices to a variable extent

 Keywords: Heterojunction tunnel FET temperature dependence
این برای گرایش های: مهندسی برق قدرت، کاربرد دارد. سایر ، را ببینید. [ برچسب: ]
مقاله مهندسی برق با ترجمه

سایر منابع مهندسی برق-مهندسی برق قدرت در زمینه ترانزیستور اثر میدانی

Skip Navigation Linksصفحه اصلی > دپارتمان ها > دپارتمان فنی و مهندسی > مهندسی برق > مقاله های مهندسی برق و ترجمه فارسی آنها > تحلیل اثرات دما بر مشخصه های I-V در ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی با ساختار ناهمگون
چرا پورتال پویان؟
ضمانت خدمات
حق مالکیت معنوی سفارشات
امکان پرداخت قسطی هزینه ها
امکان تحویل چند مرحله ای سفارش
کتابخانه الکترونیک
دانلود مقالات ترجمه شده
جستجوی مقالات
نمایش مقالات موضوع بندی شده
با انتخاب رشته مورد نظر خود می توانید مقالات ترجمه شده آن رو به صورت موضوع بندی شده مشاهده نمایید
دعوت به همکاری
تکمیل فرم همکاری جهت فروش فایل
وبلاگ ها
آموزش ترجمه و زبان ( 8 )
آموزش مقاله نویسی ( 21 )
نکات و آموزش دانشگاهی ( 1 )
عکس نوشته انگلیسی ( 104 )