چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟
فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2006308 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
حجم فایل انگلیسی :
664 Kb
حجم فایل فارسی :
1 مگا بایت
نوع فایل های ضمیمه :
Pdf+Word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com
عنوان فارسي
پوشش فیلم ضد انعکاس دولایه SiOx(C)/SiNx برای بهبود راندمان سلول خورشیدی
عنوان انگليسي
SiO x(C)/SiNx dual-layer anti-reflectance film coating for improved cell efficiency
این مقاله چند صفحه است؟
این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 7 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 21 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است
چکیده
روش صفحه پوشی (پوشش) القای نور (LIP) که در آن جریان سبب بروز پروسه کاهش فلز می گردد برای تابش نور به سطح سلول های خورشیدی استفاده می شود که یک روش جالب برای فلز پوشانی سلول خورشیدی است که دلیل آن نیز سادگی ساخت آن است. با این وجود، استفاده از روش های LIP روی ویفرهای سیلیکونی چند کریستالی بافت اسیدی با یک سطح سیلیکونی پوشیده شده از نیترید به عنوان یک چالش مطرح می شود. استفاده از یک فیلم دی الکتریک [SiOx (C)] اکسید سیلیکون با کربن پاشیده شده و غیر استوکیومتری پیش از پوشش نیکل و نقره می تواند به مقدار زیادی سطح زمینه پوشش فلزی را کاهش دهد در حالی به کاهش بازتابش سلول های خورشیدی نیز کمک می کند. فیلم های دی الکتریکی پاشش شده دارای شاخص های بازتابی کمی در حدود 1.3 تا 1.4 هستند که این کمیت به دمای گداخت آن بستگی دارد. مطالعات شبیه سازی نشان می دهد که پوشش ضد انعکاس دولایه SiOx(C)/SiNx دارای نسبت بازتابش کمتری در مقابل طیف AM 1.5 G در مقایسه با پوشش SiNx تک لایه می باشد. در نهایت، عملکرد سلول های خورشیدی تخدیر لیزری با یک SiNx ی استاندارد به عنوان پوشش ضد انعکاس با همین سلول خورشیدی با پوشش دولایه SiOx(C)/SiNx مقایسه شده است. بازدهی 16.74% با استفاده از زیر لایه سیلیکونی چند کریستالی نوع p و مقیاس صنعتی، به دست آمده است.
1-مقدمه
در سال های اخیر، توجه زیادی به پروسه تخدیر لیزری جلب شده است. این فرآیند به عنوان انتشار القایی لیزر نیز نامیده می شود که در آن مواد ناخالصی به ناحیه سطحی سلول ها از طریق ذوب و انتشار القایی لیزر در فاز مایع، اعمال می گردد. مواد ناخالصی را می توان از منابع گازی نظیر PH3 و یا منابع مایع نظیر محلول های ارگانیک و نیز پروسه های شیمیایی لیزر به دست آورد...
سلول خورشیدی تخدیر لیزری ساتع کننده انتخابی صفحه گذاری فوقانی
:کلمات کلیدی
Abstract
Light-induced plating (LIP), in which the current driving the metal reduction process is derived from illuminated solar cells, is an attractive technique for solar cell metallization because of its potential simplicity. However, applying the LIP techniques on standard acidic-textured multicrystalline silicon wafers with a silicon nitride-coated surface presents a challenge. The use of a spray-on carbon-doped non-stoichiometric silicon oxide [SiOx(C)] dielectric film before nickel and silver plating can greatly reduce background plating while helping decrease the reflectance on the front of silicon solar cells. The sprayed dielectric films have low refractive indices of 1.3–1.4, depending on the annealing temperature. Simulation studies show that the SiOx(C)/SiNx dual-layer anti-reflective coating has a lower weighted reflectance against an AM 1.5 G spectrum compared with the SiNx single coating. Finally, the performance of the laser-doped solar cells with a standard SiNx as an anti-reflectance coating were compared with those with the SiOx(C)/SiNx double-layer stack. An efficiency of 16.74% on a large, commercial-grade, p-type, multicrystalline silicon substrate was achieved
Keywords:
Solar cell Laser doping Selective emitter Over-plating
سایر منابع مهندسی برق-مهندسی برق الکترونیک در زمینه سلول خورشیدی