دانلود مقاله ترجمه شده مدل سازی سلول های خورشیدی چندبلوری نیم رسانا

چکیده

مروری بر آثار الکترونیکی مختلفی که در سلول­ های خورشیدی لایه نازک چندبلوری دیده می­ شود ارائه شده است، آثاری که در سلول­ های خورشیدی بلوری استاندارد Si دیده نمی ­شوند. توضیح داده می­ شود که چگونه این آثار را می­ توان به صورت عددی با ابزار شبیه­ سازی عددی سلول خورشیدی SCAPS بررسی کرد، ابزاری که در موسسه نویسنده مقاله توسعه یافته است. توانایی­ ها و محدودیت­ های SCAPS مورد بحث و بررسی قرار می ­گیرند. مثال­ های شبیه­ سازی مشخصه­ های جریان–ولتاژ، ظرفیت–ولتاژ و ظرفیت–فرکانس ارائه شده است. توافق بین شبیه­ سازی­ ها و مقادیر اندازه گیری­ شده هم برای سلول­ های خورشیدی CdTe و هم برای سلول­ های خورشیدی Cu(In,Ga)Se₂  نشان داده شده و مورد بحث قرار گرفته است.

1-مقدمه

سلول­ های خورشیدی لایه نازک پیشرفته مبتنی بر کالکوژنید، ساختار الکترونیکی کاملاً پیچیده­ ای دارند که مثالی از این ساختارها به صورت زیر است: دو لایه شیشه/مولیبدن CIGS با میزان Ga مختلف/یک لایه سطحی بافر CuIn₃Se₅/CdS / دو لایه پنجره ZnO. ممکن است نا پیوستگی­ هایی در ردیف نوارها مشاهده شود، حالت­ های فصل مشترک ممکن است بین لایه ­ها ایجاد شود و حالت­ های عمقی درون نیم ­رسانا ها می­ توانند حامل بار باشند...