دانلود مقاله ترجمه شده شناسایی سلسله مراتب حافظه ی مبتنی بر RAM مغناطیسی برای معماری چندهسته ای

سیستم های حافظه ای امروز به طور عمده فناوری های SRAM, DRAM و FLASH را در هم ادغام می کنند. SRAM و DRAM به طور عمده برای حافظه های کاری و کش استفاده می شوند در حالیکه حافظه ی FLASH برای انباره ی غیر فرار در سرعت پایین استفاده می شود. اما همه ی این حافظه ها با محدودیت های ساخت در پیشرفته ترین گره مواجه می شوند که روند تکاملی روبه رشد را به خطر انداخته است. علاوه بر این، با افزایش اندازه ی سیستم حافظه، بخش قابل توجهی از قدرت کامل سیستم برای حافظه صرف می شود. فناوری مغناطیسی RAM  (MRAM)  یک جایگزین بسیار جذاب است که کارایی مصرف توان و عملکرد همزمان منطقی با تراکم بالا و غیرفرار ارائه می دهد، در حالیکه MRAM همیشه تحت بررسی جدی بوده است تا فرآیند تولید را بهبود بخشد، آخرین پیشرفت های علمی نشان می دهند که این فناوری حافظه می تواند در کمتر از 5 نانوثانیه با انرژی پویای نوشتن/خواندن نه چندان دور از انرژی پویای SRAM  در دسترس قرار گیرد. علاوه بر این، غیرفرار بودن MRAM را می توان به لطف سیاست های On/OFF برای بهینه سازی جریان خطا (جریان تراوشی) به کار برد. این مقاله نشان می دهند که چگونه مشخصه های جریان MRAM را می توان در سلسله مراتب حافظه ی تراشه های چندپردازنده ای (CMP) استفاده کرد. هدف نشان دادن تمایل به استفاده از MRAM برای حافظه ی کش است تا با صرفه جویی در توان استاتیک، عملکرد کلی را حفظ کنیم.

1-مقدمه

از آنجایی که SRAM سریعترین فناوری حافظه است، در حال حاضر برای طراحی سطح بالایی حافظه ی کش انتخاب شده است تا به این صورت بتوان به خصوص برای معماری های چند پردازنده به بالاترین کارایی دست یافت. امروزه مسئله ی SRAM، گره ای را که بالاترین جریان خطا را داشته، کاهش داده است. DRAM یک سطح پایین تر از سلسله مراتب حافظه را اشغال می کند زیرا آهسته تر است اما تراکم بالاتری نسبت به SRAM دارد...