دانلود مقاله ترجمه شده ناپایداری الکتریکی a-IGZO TFTهای جفت گیت با الکترودهای تورفته سورس/درین فلزی


چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟

فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2005227 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
قیمت :
815,000 ریال
شناسه محصول :
2005227
سال انتشار:
2014
حجم فایل انگلیسی :
2 Mb
حجم فایل فارسی :
948 کیلو بایت
نوع فایل های ضمیمه :
Pdf+Word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com

عنوان فارسي

ناپایداری الکتریکی a-IGZO TFTهای جفت گیت با الکترودهای تورفته سورس/درین فلزی

عنوان انگليسي

Electrical Instability of Double-Gate a-IGZO TFTs With Metal Source/Drain Recessed Electrodes

نویسنده/ناشر/نام مجله

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

این مقاله چند صفحه است؟

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 7 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 17 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است

چکیده فارسی

چکیده

پایداری الکتریکی ترانزیستورهای تک گیت و جفت گیت لایه نازک ایندیوم-گالیوم-زینک-اکسید بدون شکل (a-IGZO TFT) با الکترودهای تورفته سورس/درین فلزی روی شیشه، بررسی و مقایسه شد. در ساختار عنصر a-IGZO TFT ها، هر دو گیت بالایی و پایینی با استفاده از لیتوگرافی تعریف شدند که بایاسینگ سنکرون شده یا مستقل را مجاز می کند. تنش دمایی بایاس BTS بر روی SG a-IGZO TFT ها و DG a-IGZO TFT ها با شرط بایاس گیت سنکرون شده انجام شد. تحت BTS مثبت و منفی، DG a-IGZO TFT سنکرون شده، شیفت ΔVTH کوچکتری نسبت به SG a-IGZO TFT نشان داد.

1-مقدمه

علاقمندی قابل توجهی برای بکارگیری  a-IGZO TFTها در کاربردهایی از قبیل AM-LCDها  [1] و AM-OLEDها [2)  دارد.  از قبیل ی ()] وجود دارد. چراکه در فاز بدون شکل، تحرک پذیری بالایی داشته و مناسب برای ساخت در فرکانس پایین هستند. قبلا در مرجع [3] نشان دادیم که a-IGZO TFT جفت گیتی مشخصات اپتیکی و الکتریکی بهتری در مقایسه با a-IGZO TFT تک گیتی دارد. لیکن برای اینکه سازگار با صنعت صفحه تخت باشد، قابلیت اطمینان درازمدت آن باید تضمین گردد...

 ایندیوم-گالیوم-زینک-اکسید بدون شکل تنش دمایی بایاس جفت گیت :کلمات کلیدی

چکیده انگلیسی


Abstract

The electrical stability of double-gate (DG) and single-gate (SG) amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors (a-IGZO TFTs) with metal source/drain recessed electrodes on glass is investigated and compared. In the device structure of the a-IGZO TFTs, both top gate and bottom gate are defined by lithography, allowing independent or synchronized biasing. Bias temperature stress (BTS) are performed on SG a-IGZO TFTs and DG a-IGZO TFTs with synchronized gate bias condition. Under both positive and negative BTS, synchronized DG a-IGZO TFTs demonstrate much smaller ΔVTH shift than SG a-IGZO TFTs

 Keywords: Amorphous indium–gallium–zinc-oxide(a-IGZO) bias temperature stress (BTS) double gate (DG)
این برای گرایش های: مهندسی برق الکترونیک، کاربرد دارد. سایر ، را ببینید. [ برچسب: ]
مقاله مهندسی برق با ترجمه

سایر منابع مهندسی برق-مهندسی برق الکترونیک در زمینه ترانزیستور‌

Skip Navigation Linksصفحه اصلی > دپارتمان ها > دپارتمان فنی و مهندسی > مهندسی برق > مقاله های مهندسی برق و ترجمه فارسی آنها > ناپایداری الکتریکی a-IGZO TFTهای جفت گیت با الکترودهای تورفته سورس/درین فلزی
چرا پورتال پویان؟
ضمانت خدمات
حق مالکیت معنوی سفارشات
امکان پرداخت قسطی هزینه ها
امکان تحویل چند مرحله ای سفارش
کتابخانه الکترونیک
دانلود مقالات ترجمه شده
جستجوی مقالات
نمایش مقالات موضوع بندی شده
با انتخاب رشته مورد نظر خود می توانید مقالات ترجمه شده آن رو به صورت موضوع بندی شده مشاهده نمایید
دعوت به همکاری
تکمیل فرم همکاری جهت فروش فایل
وبلاگ ها
آموزش ترجمه و زبان ( 8 )
آموزش مقاله نویسی ( 21 )
نکات و آموزش دانشگاهی ( 1 )
عکس نوشته انگلیسی ( 104 )