دانلود مقاله ترجمه شده طراحی یک سلول حافظه ایی ایستای سه گانه با استفاده از ترانزیستور های مبتنی بر نانو تیوب کربن

در این مقاله نویسندگان آن استفاده از ترانزیستور های اثر میدانی مبتنی بر نانو تیوب کربن (CNTFET ) را برای طراحی یک حافظه RAM ایستای سه گانه بررسی کرده اند. محققان این مقاله دو طراحی، یکی با 8 ترانزیستور و دیگری را با 14 ترانزیستور در نظر گرفته اند. با استفاده از مدل شبیه سازی مداری برای CNTFET ها، محققان نشان داده اند که هر دو طراحی مذکور، یک سلول SRAM سه گانه کاربردی را تولید می کنند. همچنین نویسند گان این مقاله، تاخیر و توان عملیات خواندن و نوشتن SRAM سه گانه تولید شده را با استفاده از هر دو مدل ایجاد کرده اند و نشان داده اند که تاخیر بوجود آمده قابل مقایسه است.

یافتن جایگزینی برای تکنولوژی سلیکون همواره مبحث تحقیقاتی بزرگی در ساختار های مداری و مواد غیر سلیکونی بوده است. از میان دستگاههای زیادی، خواص الکتریکی فوئق العاده نانو تیوب های کربن آن را به جایگزین مطمئنی برای این مواد تبدیل کرده است. این نانو تیوب کربن در اوایل دهه 1990 میلادی کشف شد...