دانلود مقاله ترجمه شده دیوایس های توان MOS-IGBT برای عملکرد دما بالا در تکنولوژی SOI توان هوشمند


چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟

فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2004897 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
قیمت :
695,000 ریال
شناسه محصول :
2004897
سال انتشار:
2011
حجم فایل انگلیسی :
1 Mb
حجم فایل فارسی :
419 کیلو بایت
نوع فایل های ضمیمه :
Pdf+Word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com

عنوان فارسي

دیوایس های توان MOS-IGBT برای عملکرد دما بالا در تکنولوژی SOI توان هوشمند

عنوان انگليسي

MOS-IGBT power devices for high-temperature operation in smart power SOI technology

نویسنده/ناشر/نام مجله

Microelectronics Reliability

این مقاله چند صفحه است؟

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 5 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 12 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است

چکیده فارسی


چکیده

یک دیوایس MOS-IGBT  با مشخصه بهبود یافته برای عملکرد دما بالا ارائه می کنیم. این کار با نفوذ P+ در درین با نسبت های N+/P+ مختلف در همان دیوایس LDMOS انجام می شود. شبیه سازی های TCAD سه بعدی برای بهینه کردن ساختار اصلی مورد استفاده قرار می گیرند تا راه حل های مهندسی با هدف فراهم کردن عملکرد latch-up آزاد را تایید کنند.

1- مقدمه

در توسعه پایدار و برای مواجهه با چالش های کمبود انرژی فسیلی، انتقال ها بیشتر به صورت الکتریکی انجام می شوند و نیازمند نسلی نو از دیوایس های توان و مدارهای الکترونیکی می باشند. به ویژه، با پیدایش نیمه هادی پهن باند مانند GaN و SiC، مدار محرکی [1] که با فناوری سیلیکون محقق شده است، باید تا جای ممکن به دیوایس های توان نزدیک باشد و باید بتواند در دماهای بالا کار کند... 

 دیوایس MOS-IGBT عملکرد دما بالا تکنولوژی SOI توان هوشمند :کلمات کلیدی

چکیده انگلیسی


Abstract

We propose a new MOS-IGBT device with improved characteristics for high-temperature operation. It is achieved by inserting in the same LDMOS device P+ diffusions in the drain with various N+/P+ ratios. 3D TCAD simulations are used to optimize the original structure in particular, to validate drain and source engineering solutions aimed at providing a latch-up free operation

 
Keywords: MOS-IGBT device high-temperature operation smart power SOI technology drain and source engineeri
این برای گرایش های: مهندسی برق الکترونیک، کاربرد دارد. سایر ، را ببینید. [ برچسب: ]
مقاله مهندسی برق با ترجمه
Skip Navigation Linksصفحه اصلی > دپارتمان ها > دپارتمان فنی و مهندسی > مهندسی برق > مقاله های مهندسی برق و ترجمه فارسی آنها > دیوایس های توان MOS-IGBT برای عملکرد دما بالا در تکنولوژی SOI توان هوشمند
چرا پورتال پویان؟
ضمانت خدمات
حق مالکیت معنوی سفارشات
امکان پرداخت قسطی هزینه ها
امکان تحویل چند مرحله ای سفارش
کتابخانه الکترونیک
دانلود مقالات ترجمه شده
جستجوی مقالات
نمایش مقالات موضوع بندی شده
با انتخاب رشته مورد نظر خود می توانید مقالات ترجمه شده آن رو به صورت موضوع بندی شده مشاهده نمایید
دعوت به همکاری
تکمیل فرم همکاری جهت فروش فایل
وبلاگ ها
آموزش ترجمه و زبان ( 8 )
آموزش مقاله نویسی ( 21 )
نکات و آموزش دانشگاهی ( 1 )
عکس نوشته انگلیسی ( 104 )