دانلود مقاله ترجمه شده تاثیر پراکندگی فونون بر تاخیر ذاتی و فرکانس قطع CNTFET ها


چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟

فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2004554 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
قیمت :
615,000 ریال
شناسه محصول :
2004554
سال انتشار:
2006
حجم فایل انگلیسی :
309 Kb
حجم فایل فارسی :
248 کیلو بایت
نوع فایل های ضمیمه :
Pdf+Word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com

عنوان فارسي

تاثیر پراکندگی فونون بر تاخیر ذاتی و فرکانس قطع CNTFET ها

عنوان انگليسي

Effect of Phonon Scattering on Intrinsic Delay and Cutoff Frequency of Carbon Nanotube FETs

نویسنده/ناشر/نام مجله

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

این مقاله چند صفحه است؟

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 4 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 11 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است

چکیده فارسی

چکیده

 اثر پراکندگی فونون بر روی تاخیر ذاتی و فرکانس قطع و سد شاتکی ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی آزمایش شد. حامل‌ها اغلب به وسیله فونون‌های منطقه مرزی و اپتیکال بعد از شروع کانال پراکنده می‌شوند. همان‌گونه که دیده می‌شود پراکندگی به طور مستقیم تاثیر کمی بر روی جریان DC د رحالت روشن ترانزیستور دارد اما کاهش چشمگیری را در فرکانس قطع و افزایش تاخیر ذاتی منتج می‌شود.

1-مقدمه

نانولوله های کربنی تک جداره با ویژگی‌های انتقال حامل عالی موجب ایجاد انگیزه‌ای قوی در زمینه کاربردهای بالقوه CNTFETها در الکترونیک فرکانس رادیویی(RF) و دیجیتال شد. آزمایش‌های زیادی تاکنون انجام شده که منجر به کشف ویژگی‌های AC در CNTFETها گردید.[1,3] محاسبات تئوری فرکانس قطع و زمان تاخیر CNTFETها، بر اساس فرضیات انتقال بالستیک که کار پیش بینی عملیات در محدوده تراهرتز(THz) را انجام می‌دهد قرار داده شده است...

 نانو لوله کربنی(CNT) کارایی فرکانس بالا تاخیر ذاتی ترانزیستور‌ها :کلمات کلیدی

چکیده انگلیسی


Abstract

The effect of phonon scattering on the intrinsic delay and cutoff frequency of Schottky-barrier carbon nanotube (CNT) FETs (CNTFETs) is examined. Carriers are mostly scattered by optical and zone-boundary phonons beyond the beginning of the channel. It is shown that the scattering has a small direct effect on the dc on current of the CNTFET, but it results in a significant decrease of intrinsic cutoff frequency and increase of intrinsic delay

 Keywords: Carbon nanotubes (CNT) high-frequency performance intrinsic delay transistors
این برای گرایش های: مهندسی برق الکترونیک، کاربرد دارد. سایر ، را ببینید. همچنین این در گرایش های: فیزیک حالت‌ جامد، می تواند کاربرد داشته باشد. سایر ، را ببینید. همچنین این در گرایش های: کلیه گرایش ها، می تواند کاربرد داشته باشد. [ برچسب: ]
مقاله مهندسی برق با ترجمه

سایر منابع مهندسی برق-مهندسی برق الکترونیک در زمینه ترانزیستور‌

Skip Navigation Linksصفحه اصلی > دپارتمان ها > دپارتمان فنی و مهندسی > مهندسی برق > مقاله های مهندسی برق و ترجمه فارسی آنها > تاثیر پراکندگی فونون بر تاخیر ذاتی و فرکانس قطع CNTFET ها
چرا پورتال پویان؟
ضمانت خدمات
حق مالکیت معنوی سفارشات
امکان پرداخت قسطی هزینه ها
امکان تحویل چند مرحله ای سفارش
کتابخانه الکترونیک
دانلود مقالات ترجمه شده
جستجوی مقالات
نمایش مقالات موضوع بندی شده
با انتخاب رشته مورد نظر خود می توانید مقالات ترجمه شده آن رو به صورت موضوع بندی شده مشاهده نمایید
دعوت به همکاری
تکمیل فرم همکاری جهت فروش فایل
وبلاگ ها
آموزش ترجمه و زبان ( 8 )
آموزش مقاله نویسی ( 21 )
نکات و آموزش دانشگاهی ( 1 )
عکس نوشته انگلیسی ( 104 )