دانلود مقاله ترجمه شده ترانزيستورهاي نانوسيم بدون اتصال

چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟

فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2002025 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید برای دریافت لینک دانلود مقاله آدرس ایمیل خود را درج نمایید

مایل به دریافت ترجمه فارسی هستید؟

قیمت :

765,000 ریال

شناسه محصول :

2002025

سال انتشار:

2010

حجم فایل انگلیسی :

1 Mb

حجم فایل فارسی :

356 کیلو بایت

نوع فایل های ضمیمه :

Pdf+Word

کلمه عبور همه فایلها :

www.daneshgahi.com

عنوان فارسي

ترانزيستورهاي نانوسيم بدون اتصال

عنوان انگليسي

Nanowire transistors without junctions

نویسنده/ناشر/نام مجله

NATURE NANOTECHNOLOGY

این مقاله چند صفحه است؟

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 5 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 15 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است

چکیده فارسی

چکیده

همه ترانزيستورهاي موجود از اتصالات نيمه رسانايی استفاده کرده که اتم های دوپانت در ماده نيمه رسانا دارند. با 10 nmبودن فاصله اتصالات بين دستگاه هاي مدرن،‌شيب تحرك غلظت ناخالص سازي بالا ضروري مي شود. بخاطر قوانين انتشار و طبيعت آماري اتم هاي ناخالص سازي، چنين اتصالاتي چالش هاي ساختاري مشكل افزايشي را براي صنعت نيمه راسانايي را بيان مي كنند. در اينجا نوع جديد ترانزيستور را نشان مي دهيم كه در آن هيچ اتصال و هيچ شيب تحرك غلظت ناخالصي وجود نداشته باشد. اين ابزارها عامليت CMOS كاملي داشته و با استفاده از نانوسيمهاي سليكون ساخته مي شوند. شيب زير آستانه اي تقريباً ايده آلي با جريان تراوش كم،‌و تنزل كمتر حركت بادما و ولتاژ ورودي نسبت به ترانزيستورهاي كلاسيك دارند.

1-مقدمه

همه ترانزيستورهاي موجود بر مبناي ساختار اتصال هستند. اتصالات بسته به تمايل كاربردي هم قابليت انسداد جريان و هم قابليت به گردش آوردن آن را دارند. كه بطور كلي با جايگيري دو منطقه نيم رسانا با قطب هاي مخالف در تماس با ديگري ساخته مي شوند. رايج ترين نقطه اتصال، اتصال p-n است كه شامل تماس بين قطعه نوع P‌ سليكن،‌غني در روزنه ها، و قطعه نوع n سليكن غني در الكترون هاست...

ترانزيستورهاي نانوسيمی :کلمات کلیدی

چکیده انگلیسی

Abstract

All existing transistors are based on the use of semiconductor junctions formed by introducing dopant atoms into the semiconductor material. As the distance between junctions in modern devices drops below 10 nm, extraordinarily high doping concentration gradients become necessary. Because of the laws of diffusion and the statistical nature of the distribution of the doping atoms, such junctions represent an increasingly difficult fabrication challenge for the semiconductor industry. Here, we propose and demonstrate a new type of transistor in which there are no junctions and no doping concentration gradients. These devices have full CMOS functionality and are made using silicon nanowires. They have near-ideal subthreshold slope, extremely low leakage currents, and less degradation of mobility with gate voltage and temperature than classical transistors

Keywords: Nanowire transistors without junctions

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق برای گرایش های: مهندسی برق الکترونیک، کاربرد دارد. سایر مقالات ترجمه شده مهندسی برق الکترونیک، را ببینید. همچنین این مقاله ترجمه شده برای فیزیک در گرایش های: فیزیک حالت‌ جامد، می تواند کاربرد داشته باشد. سایر مقالات ترجمه شده فیزیک حالت‌ جامد، را ببینید. همچنین این مقاله ترجمه شده برای نانوفناوری در گرایش های: کلیه گرایش ها، می تواند کاربرد داشته باشد. [ برچسب: مقاله ترجمه شده مهندسی برق الکترونیک در زمینه ترانزیستور نانوسیمی]