دانلود مقاله ترجمه شده طراحی ماسفت LD SOI جزئی با اکسید مدفون شده مثلثی به منظور بهبود ولتاژ شکست


چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟

فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2001314 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید
قیمت :
880,000 ریال
شناسه محصول :
2001314
سال انتشار:
2011
حجم فایل انگلیسی :
1 Mb
حجم فایل فارسی :
980 کیلو بایت
نوع فایل های ضمیمه :
Pdf+Word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com

عنوان فارسي

طراحی ماسفت LD SOI جزئی با اکسید مدفون شده مثلثی به منظور بهبود ولتاژ شکست

عنوان انگليسي

A partial-SOI LDMOSFET with triangular buried-oxide for breakdown voltage improvement

نویسنده/ناشر/نام مجله

Microelectronics Reliability

این مقاله چند صفحه است؟

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 8 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 22 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است

چکیده فارسی

چکیده

در این مقاله، یک ترانزیستور اثر میدان الکتریکی MOS با دیفیوژن دوگانه جانبی با اکسید مدفون شده شبه مثلثی با سیلیکون بر عایق جزئی (PSOI) ارائه میشود. میدان الکتریکی و پتانسیل الکترواستاتیکی در این ساختار توسط افزایش ضخامت تدریجی اکسید مدفون شده اصلاح می شود. این اصلاح شامل اضافه شدن یک پیک جدید به میدان الکتریکی در مقایسه با PSOI رایج است. برای ارزیابی کارایی ساختار ارائه شده، مقایسه ولتاژ شکست آن با PSOI معمولی با استفاده از شبیه سازی های دوبعدی انجام می شود. همچنین عملکرد ساختار در ضخامت های مختلف فیلم سیلیکونی و لایه اکسید مدفون شده، ناحیه دریفت، طول لایه اکسید مدفون شده، و غلظت دوپینگ نواحی دریفت بررسی می شود. این بررسی ها نشان می دهد که تحت جریان درین یکسان، ولتاژ شکست TB_PSOI تقریبا دو برابر ساختار PSOI ساده است (بهبود به میزان  108%(. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهد که لایه اکسیدی سه پله ای، نتایج بسیار نزدیکی با ساختار TB-PSOI (با بهبود ولتاژ شکست به میزان 96%) در مقایسه با PSOI ساده به دست می دهد.

1-مقدمه

در سالهای اخیر،  ترانزیستورهای اثر میدان الکتریکی MOS با دیفیوژن دوگانه جانبی، کاربردهای بسیاری در زمینه تجهیزات قدرت یکپارچه ولتاژ بالا و هوشمند یافته اند [1 و2]. از مزیتهای این عناصر نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان الکتریکی MOS سنتی با دیفیوژن دوگانه جانبی عمودی (VDMOSFET)، کاهش مراحل تولید، قابلیت خروجی های چندگانه بر روی یک چیپ، و سازگاری با فناوری های نوین VLSI است [3]. LDMOSFETهای ایجاد شده با فرایندهای VLSI، دورنمای ICهای هوشمند قدرت را به واقعیت تبدیل می کنند. برای بهبود عملکرد LDMOSFETها، ساختارهای مختلفی ارائه شده اند [6-4]. یک مورد مناسب در این زمینه، ساختار میدان سطحی کاهش یافته (RESURF) است که بین مقاومت حالت روشن و ولتاژ شکست بده بستان ایجاد می کند [10-7]. فرایند سیلیکون بر عایق (SOI) با افزایش بیش از پیش ولتاژ شکست، برتری بسیار بزرگی را در مقایسه با ایزولاسیون سنتی پیوند ایجاد می کند و در فرایند تولید تجهیزات جانبی ولتاژ بالای قدرت بسیار مورد توجه قرار گرفته است [11]. ساختارهای برپایه SOI در مقایسه با همتایان ساده خود با عناصر سیلیکونی، دارای پایداری حرارتی بالا هستند زیرا اثر روشن شدن دوقطبی نویزدار در این ساختارها حذف شده و دریفت ولتاژ آستانه کاهش می یابد…


 بهبود ولتاژ شکست طراحی ماسفت SOI جزئی :کلمات کلیدی

چکیده انگلیسی
Abstract

In this paper, a near-triangular buried-oxide partial silicon-on-insulator (TB-PSOI) lateral double-diffused MOS field-effect transistor is proposed. The electric field and electrostatic potential in this structure are modified by the gradual buried-oxide thickness increase. The modification includes the addition of a new peak in the electric field in comparison to that of the conventional PSOI. To assess the efficiency of the proposed structure, its breakdown voltage is compared with that of conventional PSOI using two-dimensional simulations. A comparative study is performed in terms of silicon-film and buried-oxide layer thicknesses, drift region and buried-oxide layer lengths, and drift region doping concentrations. The study shows that under the same drain current, the breakdown voltage of TB-PSOI is nearly two times higher than its PSOI counterpart (108% improvement). Simulation results show that the three-stepped oxide layer closely follows the TB-PSOI structure with a breakdown voltage improvement of 96% compared to that of the PSOI structure

Keywords: partial-SOI LDMOSFET
این برای گرایش های: مهندسی برق الکترونیک،مهندسی برق قدرت، کاربرد دارد. سایر ،سایر ، را ببینید. [ برچسب: ]
مقاله مهندسی برق با ترجمه

سایر منابع مهندسی برق-مهندسی برق الکترونیک در زمینه ترانزیستور

Skip Navigation Linksصفحه اصلی > دپارتمان ها > دپارتمان فنی و مهندسی > مهندسی برق > مقاله های مهندسی برق و ترجمه فارسی آنها > طراحی ماسفت LD SOI جزئی با اکسید مدفون شده مثلثی به منظور بهبود ولتاژ شکست
چرا پورتال پویان؟
ضمانت خدمات
حق مالکیت معنوی سفارشات
امکان پرداخت قسطی هزینه ها
امکان تحویل چند مرحله ای سفارش
کتابخانه الکترونیک
دانلود مقالات ترجمه شده
جستجوی مقالات
نمایش مقالات موضوع بندی شده
با انتخاب رشته مورد نظر خود می توانید مقالات ترجمه شده آن رو به صورت موضوع بندی شده مشاهده نمایید
دعوت به همکاری
تکمیل فرم همکاری جهت فروش فایل
وبلاگ ها
آموزش ترجمه و زبان ( 8 )
آموزش مقاله نویسی ( 21 )
نکات و آموزش دانشگاهی ( 1 )
عکس نوشته انگلیسی ( 104 )