دانلود مقاله ترجمه شده اسنابر اکتیو کلید زنی نرم برای مبدل DC/DC

یک اسنابر اکتیو کلید زنی نرم برای کاهش تلفات خاموشی ترانزیستورهای دو قطبی گیت ایزوله ((IGBT در مبدل های باک مطرح شده است.این اسنابر یک ولتاژ صفر کلیدزنی برای IGBT فراهم می کند، که نتیجه آن کاهش تلفات بالای خاموشی بدلیل وجود جریان پسماند می باشد. اسنابر مطرح شده بعنوان یک کلید کمکی برای دشارژ خازن اسنابر استفاده می شود. همچنین این کلید کمکی در کلیدزنی در ولتاژ و جریان صفر نیز عمل می کند. سایز این کلید کمکی در مقایسه با مدار کلید اصلی ، که باعث می شود این اسنابر یک گزینه مناسب در برابر اسنابر معمولی و یا حتی اسنابرهای کم تلفات پسیو باشد، بدست می آید.استفاده از اسنابر اکتیو کلیدزنی نرم اجازه می دهد تا IGBT در یک فرکانس بالا بعنوان یک RBSO بهبود یافته عمل کند.نتایج آزمایشگاهی برای یک نمونه اولیه با قدرت  1kwو فرکانس 40kHz گزارش شده است.تلفات ترکیب سوئیچینگ-اسنابینگ،٣٦٪با استفاده از اسنابر اکتیو در مقایسه با اسنابر RCD معمولی کاهش می یابد.استفاده از یک اسنابر اکتیو اجازه بازگرداندن قسمتی از انرژی ذخیره شده در خازن اسنابر در مدت زمان خاموش شدن آنرا می دهد.نمونه کلی سلول اسنابر مبدل باک برای پشتیبانی مبدلهای غیر ایزوله DC/DC رایج (باک،بوست،باک-بوست،Cuk، sepic، (zeta بخوبی مبدلهای ایزوله (forward,flyback,Cuk,sepic) DC/DC تعمیم یافته اند.

روش مدولاسیون پهنای باند ( (PWMبعلت توانمندی های بالاو سهولت کنترل آن تحسین شده است. با این وجود، عناصر نیمه هادی در زمان خاموش و روشن شدن یک تنش گذرای ولتاژ و جریان را تجربه می کنند.روش رزونانس به عناصرنیمه هادی این اجازه را می دهد که در مدت زمان روشن و خاموش شدن در کلیدزنی ولتاژ صفر و جریان صفر عمل کنند، گرچه با تحمیل تنش اضافی ولتاژ و جریان برای این عناصر. برای قدرت مشابه، عناصر استفاده شده در مبدلهای با روش PWM از همتای خود در مبدلهای با روش رزونانس، تنش کمتری را تجربه می کنند. با اجتماع یک اسنابر رزونانس با عناصر استفاده شده در مبدل PWM می توانیم یک مبدل گذرا با ولتاژ صفر و جریان صفر بدست آوریم...