دانلود مقاله ترجمه شده وابستگی کلی به بایاس در جریان اضافی تولید شده در اثر خود گرمایش در ترانزیستورهای پوسته-نازک(TFT) نوع a-Si:H

چکیده

 رابطه‌ای بین وابستگی کلی بایاس در جریان اضافی تولید شده در اثر خود-گرمایش با افت توان در ترانزیستورهای پوسته-نازک a-Si:H یافت شده است . با بررسی ویژگیهای IDS/W  در مقابل W ، پهنای باند ترانزیستورهای پوسته-نازک بدون اثر خود-گرمایش مشخص میشود. از اختلاف جریان کل و جریان در حالت بدون خود-گرمایش، مقدار جریان اضافی بدست می‌آید. براساس مکانیسم انتقال، به همراه طبیعت ذاتی وابستگی بین دمای شبکه و گرمایش ژول، مکانیسم اصولی برای اثر خود-گرمایش در ترانزیستورهای پوسته-نازک a-Si:H مورد بررسی قرار گرفته است. این کشف در ساخت مدل فیزیکی برای اثر خود-گرمایش ترانزیستورهای پوسته-نازک مفید خواهد بود.

1- مقدمه

به تازگی فن‌آوری محرک درگاه در آرایه‌ها با استفاده از ترانزیستورهای پوسته-نازک a-Si:H مورد توجه گسترده‌ای قرار گرفته است [1]-[4]. این فن‌آوری مدارهای تحریک کننده‌ی جانبی را در صفحات TFT-LCD ترکیب میکند. این مساله تابع چگالی صفحه‌ی نمایش را افزایش داده و ابعاد فیزیکی و همچنین هزینه‌ی تولید را کاهش میدهد. با این حال با تحرک نسبتا کم ترانزیستورهای پوسته-نازک a-Si:H ، در حدود 0.1-1 cm2/V.s، به پهنای باند بزرگتری برای قطعات TFT در GOA  ، در مقایسه با آنچه به طور معمول در پیکسل‌های LCD مورد نیاز است ، نیاز خواهد بود . با شرایط معمول عملیاتی به واسطه‌ی چندین میلی آمپر جریان و دهها ولت مورد نیاز در GOA،‌ به همراه رسانایی گرمایی پایین شیشه، مقدار گرمای ژول که توسط افت توان در باند جمع شده است، باعث اثر خود-گرمایش در TFT‌های a-Si:H خواهد شد. بدلیل اتصال ضعیف پوسته a-Si،‌ مشکل قابل اطمینان بودن، یکی از تنگناهای توسعه‌ی فن‌آوری براساس a-Si بوده است. اثر خود-گرمایش همراه شده، مشکل ناپایداری را در TFT‌های a-Si:H بدتر میکند. ...