دانلود مقاله ترجمه شده طراحی تقویت کننده کم نویز، فوق پهن باند CMOS و با توان مصرفی کمتر با استفاده از تکنیک حذف نویز


چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟

فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2001029 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید

قیمت :
765,000 ریال
شناسه محصول :
2001029
سال انتشار:
2013
حجم فایل انگلیسی :
1 Mb
حجم فایل فارسی :
1 مگا بایت
نوع فایل های ضمیمه :
pdf+word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com

عنوان فارسي

طراحی تقویت کننده کم نویز، فوق پهن باند CMOS و با توان مصرفی کمتر با استفاده از تکنیک حذف نویز

عنوان انگليسي

Design of low power CMOS ultra wide band low noise amplifier using noise canceling technique

نویسنده/ناشر/نام مجله

MicroelectronicsJournal

این مقاله چند صفحه است؟

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 6 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 9 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است

چکیده فارسی


چکیده

این مقاله طرحی را برای یک تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند CMOS و با توان کم ارائه می دهد که از یک تکنیک حذف نویز با فرآیند TSMC 0.18 μm RF  استفاده می کند. UWB LNA پیشنهادی از یک ساختار استفاده دوباره از جریان استفاده می کند تا به جای استفاده از یک طبقه آبشاری، مصرف توان کل را کاهش دهد.  این ساختار، همان مقدار جریان DC برای اجرای همزمان دو ترانزیستور را مصرف می کند. تکنیک تنظیم یک در میان که برای دستیابی به یکنواختی بهره در فرکانس مورد نظر گزارش شده است تا نقاط فرکانس تشدیدی پایین و بالا را روی کل پهنای باند از 3.1 تا 10.6 GHz داشته باشیم. نقاط تشدید در 3 GHz تا 10 GHz تنظیم شدند تا یکنواختی بهره کافی و اتلاف بازتابشی (برگشتی) را موجب شوند. بعلاوه، تکنیک حذف نویز برای حذف منبع غالب نویز استفاده شدند که توسط اولین ترانزیستور تولید می شوند. نتایج شبیه سازی یک بهره تخت و یکنواخت (S21 > 10 dB) را با یک تطبیق امپدانس ورودی خوب کمتر از -10 dB و نیز یک مینیمم رقم نویز 2.9 dB را روی کل باند نشان می دهند. UWB LNA پیشنهادی،  15.2 mW از یک منبع توان 1.8 V را مصرف می کند.

1-مقدمه

اخیرا سیستم های فوق پهن باند در کاربردهای ارتباط بیسیم محبوب گشته اند. چون کمیسیون ارتباطات فدرال (FCC)، پهنای باند 7.5 GHz از دامنه طیفی 3.1 تا 10.6 GHz را برای فوق پهن باند در سال 2002 منتشر ساخته است (1). بعنوان دلایل ضروری برای استفاده از سیستم های UWB، آن سطح توان اندک (حد تا -41.3 dBm/MHz) و نرخ داده بالایی (تا 480 Mb/s) را برای ارتباطات بیسیم فراهم می کند. تقویت کننده کم نویز UWB ملزوماتی دارد چون پهنای باند ورودی کافی/اتلاف بازگشتی خروجی، بهره تخت کافی روی کل پهنای باند 7.5 GHz، رقم نویز پایین برای حساسیت، مصرف توان کم برای تحرک و یک مساحت تراشه کم برای هزینه کم.

تقویت کننده توزیعی، مشخصات پهن باند ، خطی بودن خوب و تطبیق ورودی /خروجی کافی را به دست می دهد (2و3). از طرف دیگر، آن یک جریان DC بزرگ را مصرف می کند تا طبقات چند تقویت کننده را راه بیاندازند و مساحت تراشه بزرگی را اشغال می کند. تقویت کننده فیدبک مقاومت موازی برای UWB LNA استفاده می شود (4) که چند صد مقاومت فیدبک دارد که پهنای باند را گسترش می دهد. از طرف دیگر، معمولا به دلیل پیک مقاومت فیدبک در نزدیک طبقه ورودی، شکل نویز افت می کند. فیلتر غیرفعال نیز برای طراحی UWB LNA استفاده شد (5). این فیلتر یک مشخصه تطبیق ورودی پهن دارد. از طرف دیگر، آن نیازمند برخی اجزا است نظیر یک القاگر که این خود نیازمند تراشه ای با اندازه بزرگ است. طبقه گیت مشترک در اولین توپولوژی در حال حاضر برای طراحی یک تقویت کننده پهن باند استفاده می شود (به دلیل امپدانس ورودی پهن باند ثابت 1/gm)(6). از طرف دیگر، طبقه گیت – مشترک عملکرد نویز ضعیفی دارد. به این دلیل، تکنیک حذف نویز با طبقه گیت مشترک پیاده سازی شده است (7-10) ، ولی مصرف توان بزرگی را دارد تا نویز کم، بهره کافی و ویژگی های تطبیق پهن باندی را به دست آورد....

طراحی تقویت کننده کم نویز طراحی تقویت کننده فوق پهن باند CMOS :کلمات کلیدی

چکیده انگلیسی


Abstract

This paper presents a design of a low power CMOS ultra-wideband (UWB) low noise amplifier (LNA) using a noise canceling technique with the TSMC 0.18 μm RF CMOS process. The proposed UWB LNA employs a current-reused structure to decrease the total power consumption instead of using a cascade stage. This structure spends the same DC current for operating two transistors simultaneously. The stagger-tuning technique, which was reported to achieve gain flatness in the required frequency, was adopted to have low and high resonance frequency points over the entire bandwidth from 3.1 to 10.6 GHz. The resonance points were set in 3 GHz and 10 GHz to provide enough gain flatness and return loss. In addition, the noise canceling technique was used to cancel the dominant noise source, which is generated by the first transistor. The simulation results show a flat gain (S21410 dB) with a good input impedance matching less than –10 dB and a minimum noise figure of 2.9 dB over the entire band. The proposed UWB LNA consumed 15.2 mW from a 1.8 V power supply

 
Keywords: CMOS UWB Low noise amplifier Noise canceling Current-reused technique
این برای گرایش های: مهندسی برق مخابرات،مهندسی برق الکترونیک، کاربرد دارد. سایر ،سایر ، را ببینید. [ برچسب: ]
 مقاله مهندسی برق با ترجمه
Skip Navigation Linksصفحه اصلی > دپارتمان ها > دپارتمان فنی و مهندسی > مهندسی برق > مقاله های مهندسی برق و ترجمه فارسی آنها > طراحی تقویت کننده کم نویز، فوق پهن باند CMOS و با توان مصرفی کمتر با استفاده از تکنیک حذف نویز
کتابخانه الکترونیک
دانلود مقالات ترجمه شده
جستجوی مقالات
با انتخاب رشته مورد نظر خود می توانید مقالات ترجمه شده آن رو به صورت موضوع بندی شده مشاهده نمایید