دانلود مقاله ترجمه شده فیلم های گرافنی چند لایه ای و با مساحت زیاد روی زیرلایه های دلخواه به کمک رسوبگیری بخار شیمیایی

در این کار ما یک روش کم هزینه و مقیاس پذیر را ارائه می کنیم که در آن از رسوبگیری بخار شیمیایی (CVD) روی فیلم های Ni پلی کریستالین استفاده می شود تا فیلم هایی با مساحت زیاد (در حدود cm²) از گرافن تک تا چند لایه ساخته شود و فیلم ها به زیرلایه های نانوساختاری تبدیل شوند. این فیلم ها شامل نواحی از 1 تا 2 لایه گرافن هستند. اندازه ی عرضی نواحی تک لایه یا دولایه می تواند تا 20 µm باشد. فیلم ها روی سراسر مساحت پیوسته هستند و می توانند با لیتوگرافی یا پیش الگواندازی فیلم Ni زیرین، طرح روی انها انداخت. شفافیت، رسانندگی و حرکت دو قطبی (ambipolar transfer) در  فیلم نشان دهنده پتانسیل آنها بعنوان مواد کاندید دیگر برای الکترونیک و کاربردهای اپتوالکترونیک است.

1-مقدمه
گرافن یک آرایه ای شش گوش از اتم های کربن است که یک ورقه مسطح ضخیم تک اتمی را تشکیل می دهد. جداسازی موفق گرافن به وسیله میکروکلیو کردن (تقسیم و شکافتن میکرو) گرافیت پیرولیتیک کاملا جهت دار (HOPG)،  امکانات هیجان انگیزی را را برای تحقیقات تجربی گشوده است. توجه بسیاری به مشخصات جالب توجهی آن معطوف شده است که ان را به گزینه دیگری برای مواد مورد استفاده در الکترونیک بدل می سازد. روش های شیمیایی برای ساخت گرافن می توانند مزایای زیادی را نسبت به میکروکلیو HOPG نشان دهند بخصوص وقتی به دنبال مساحت های زیاد و کاربرد در مقیاس بزرگ هستیم. روش های سنتز گرافن مساحت زیاد (پهن) عبارتند از آنیل سازی فوق خلا تک کریستال SiC(0001)، رسوبگیری بخار شیمایی UHV روی فلزات گذار تک کریستالی و رسوبگیری فیلم های اکسید گرافن (GO) از یک سوسپانسیون مایع و سپس کاهش شیمیایی. با این همه برخی از این روش ها نیازمند استفاده از یک ماده زیرلایه خاص هستند. بعلاوه هزینه زیاد زیرلایه های تک کریستالی و شرایط UHV  لازم برای رشد، استفاده از این روش ها را برای کاربردهای بزرگ مقیاس بسیار محدود می کند. فیلم های به دست آمده از سوسپانسیون های مایع ورقه های گرافنی می توانند بالقوه بر این محدودیت ها فائق آیند ولی مشخصات ذاتی گرافن هنوز به دست نیامده اند...