دانلود مقاله ترجمه شده روش رسوبگیری بخار شیمیایی فلز آلی در نانوسیم های GaN با سطح مقطع های مثلثی

چکیده

نانوساختارهای نیمرسانای یک بعدی تک کریستالی توجه بسیاری را بعنوان بلوک های سازنده نانوفناوری آینده به خود جلب کرده اند. نیترید گالیوم یک نیمرسانای قوی با گاف انرژی پهن است. به دلیل نقطه ذوب بالا، تحرک حامل زیاد و میدان شکست الکتریکی زیاد، این عنصر یک کاندید خوب برای استفاده در دستگاه های اپتوالکترونیکی توان بالا و بازده بالا به شمار می رود.  نانوتیوب ها و نانوسیم های نیترید گالیوم نوید تحقق نانودستگاه های بیولوژیکی و فوتونیکی نظیر دیودهای گسیلنده نور آبی (LEDs)، نانولیزرهای فرابنفش با طول موج کوتاه و سنسورهای بیوشیمیایی نانوسیالی را می دهند.
در واقع همه طرح های سنتزی گزارش شده برای نانوسیم های مبتنی بر GaN تا امروز از ساییدگی لیزری، انتقال بخار شیمیایی یا اپیتکسی بخار هیدرید استفاده کرده اند. اغلب این فرآیندها از فلز Ga بعنوان منبع بخار دمای بالا استفاده می کنند. فلزاتی نظیر Ni, Fe,  و  Au بعنوان اغاز کننده برای رشد نانوسیم بخار – مایع – جامد (VLS) استفاده کرده اند گرچه VLS خودکاتالیست یا یک فرآیند بخار – جامد مستقیم نیز می تواند نانوسیم ها در این سیستم را تولید نماید استفاده از یک منبع Ga جامد گرچه از نظر تکنیکی ساده است ولی اغلب به فشار بخار غیرثابت و ناپیوسته می انجامد و پیاده سازی ان در یک راکتور جریان پیوسته دشوار است. با اینکه رشد فیلم های نازک GaN اغلب از فرآیند رسوبگیری بخار شیمیایی فلز آلی (MOCVD) بهره می گیرد، تاکنون هیچ گزارشی مبنی بر رشد VLS نانوسیم های GaN با استفاده از MOCVD وجود نداشته است...