دانلود مقاله ترجمه شده فرکانس های انتقال و مقاومت منفی سلول میانگیر CMOS با پایانه قیاسی و کاربرد در MMW LC VCO


چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟

فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2000187 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید

قیمت :
1,210,000 ریال
شناسه محصول :
2000187
سال انتشار:
2010
حجم فایل انگلیسی :
2 Mb
حجم فایل فارسی :
1 مگا بایت
نوع فایل های ضمیمه :
pdf+word
کلمه عبور همه فایلها :
www.daneshgahi.com

عنوان فارسي

فرکانس های انتقال و مقاومت منفی سلول میانگیر CMOS با پایانه قیاسی و کاربرد در MMW LC VCO

عنوان انگليسي

Transition Frequencies and Negative Resistance of Inductively Terminated CMOS Buffer Cell and Application inMMWLC VCO

نویسنده/ناشر/نام مجله

Active and Passive Electronic Components

این مقاله چند صفحه است؟

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 11 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 39 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است

چکیده فارسی

چکیده

این مقاله فرکانس های انتقال (ftrans­­) یک میانگیر تابع منبع CMOS با پایانه قیاسی را برای رفتار مقاومت منفی مورد بررسی قرار می دهد که در آن، مقاومت موازی موثر رسیده به منبع سلول میانگیر تغییر علامت می دهد. فرکانس های نوسان محدود ممکن، بر اساس تشدیدکننده های تشکیل شده از یک القاگر گیت  متصل به زمین و یک ظرفیت پارازیتی در گیت سلول میانگیر مقاومت منفی تعیین می شوند. محدوده فرکانس های نوسان این سلول میانگیر مقاومت منفی برای تغییرات در پارامترها/المان های مداری مختلف، استخراج شده است. پیرو آن، یک نوسانگر موج  میلی متری (MMW) با استفاده از فن آوری پردازش IBM 130 nm CMOS که می تواند در 70 مگا هرتز عمل کند، شبیه سازی شده است. مدل MOSFET فرکانس – بالا برای این شبیه سازی استفاده شده بود. سلول باید اتلاف توان بی نهایت کوچک کم تر از 3 میلی وات داشته باشد. شبیه سازی های مونته کارلو گسترده برای تحلیل توانایی ساخت با فرض تغییر بیش از 50% در پردازش و پارامترهای هندسی، ولتاژ منبع، و دمای محیط انجام شد. تحلیل پارازیت و یک تخمین شبیه سازی شده پارازیت فازی در کاربرد MMW LC VCO  گزارش شده است.
فهرست مطالب

1-مقدمه

2-فرکانس های انتقال و مقاومت منفی سلول میانگیر CMOS

3-ملاحظات پارازیت فازی در سلول میانگیر مقاومت منفی

4-نتایج شبیه سازی SPICE

5- نتیجه

1-مقدمه

توسعه­ی سیستم های ارتباطی میکروموجی پیش رفته مقرون به صرفه با استفاده از نوسانگر های موج میلی متری (MMW) ، یا نوسانگرهای با ولتاژ کنترل شده MMW (VCOs) در فن آوری های پردازش CMOS حجمی غیر متریک کم هزینه، از مهمترین علاقه مندی ها در کمیته تحقیق طراحی مدار و نیمه رسانا است. طراحی نوسانگر های MMW و VCO ها در نیمه رساناهای مرکب III – V و دستگاه های ناهمگون [1-4] طی سال های بسیار، گزارش شده است، اما در موارد اخیر، تلاش وسیعی بر به کار گیری CMOS MMW متمرکز شده است [5-8]. در این خصوص، پژوهش رفتار فرکانس – بالا و بیشینه فرکانس نوسان ممکن سلول مقاومت منفی CMOS تعیین کننده است زیرا دستگاه های CMOS فرکانس بهره - واحد (fT) ذاتاً کمتری در مقایسه با FET نیمه رسانای مرکب III – V و دستگاه های Si – Ge HBT دارند. اخیراً وینسترا و وان در هایجن [9]، بیشینه فرکانس نوسان ممکن یک سلول مقاومت منفی را به صورت ftrans پیشنهاد کردند که به صورت فرکانسی که در آن، مقاومت منفی موثر سلول RX از منفی به مثبت تبدیل می شود، تعریف می شود...

فرکانس های انتقال سلول میانگیر CMOS مقاومت منفی سلول میانگیر CMOS :کلمات کلیدی

چکیده انگلیسی


Abstarct
 

This paper investigates the transition frequencies ( ftrans) of an inductively terminated CMOS source follower buffer for negative resistance behavior at which the effective shunt resistance looking into the source of the buffer cell changes sign. Possible limiting frequencies of oscillation are determined based on resonators formed by a grounded gate inductor and a parasitic capacitance at the gate of the negative resistance buffer cell. The range of frequencies of oscillation of this negative resistance buffer cell for variations in the different circuit parameters/elements is explored. Following this, a millimeter wave (MMW) oscillator is simulated using the IBM 130nm CMOS process technology which can operate at 70GHz. High-frequency MOSFET model was used for these simulations. The cell had an extremely low power dissipation of under 3mW. Extensive Monte Carlo simulations were carried out for manufacturability analysis considering up to 50% variation in process and geometrical parameters, supply voltage, and ambient temperature. Noise analysis and a simulated estimate of the phase noise in anMMWLC VCO application is also reported

Contetnts

1. Introduction

2. Transition Frequencies and Negative Resistance of CMOS Buffer Cell

3. Phase Noise Considerations in the Negative Resistance Buffer Cell

4. Spice Simulation Results

5. Conclusion

Keywords: CMOS Buffer Cell MMWLC VCO
این برای گرایش های: مهندسی برق الکترونیک،مهندسی برق مخابرات، کاربرد دارد. سایر ،سایر ، را ببینید. [ برچسب: ]
 مقاله مهندسی برق با ترجمه
Skip Navigation Linksصفحه اصلی > دپارتمان ها > دپارتمان فنی و مهندسی > مهندسی برق > مقاله های مهندسی برق و ترجمه فارسی آنها > فرکانس های انتقال و مقاومت منفی سلول میانگیر CMOS با پایانه قیاسی و کاربرد در MMW LC VCO
کتابخانه الکترونیک
دانلود مقالات ترجمه شده
جستجوی مقالات
با انتخاب رشته مورد نظر خود می توانید مقالات ترجمه شده آن رو به صورت موضوع بندی شده مشاهده نمایید