دانلود مقاله ترجمه شده مدل تحلیلی ولتاژ آستانه‌ی ماسفت‌های با کانال گود شده

ولتاژ آستانه یکی از مهم‌ترین عوامل در مدلسازی افزاره است. در این مقاله روشی تحلیلی برای محاسبه‌ی ولتاژ آستانه‌ی ماسفت‌های RC مورد مطالعه قرار می‌گیرد. اگر پارامترهای اساسی افزاره مثل شعاع، ضخامت لایه‌ی اکسید وغلظت دوپینگ را بدانیم، می‌توان ولتاژ آستانه را به‌سادگی با استفاده از این مدل به‌دست آورد. این مدل با شبیه‌سازی عددی دوبعدی افزاره، ولتاژ آستانه را پیش‌بینی می‌کند.

1-مقدمه

ماسفت پلانار کلاسیک به‌علت جریان تونل‌زنی از طریق اکسید فوق نازک گیت در حال نزدیک شدن به حد مقیاس‌گذاری خودش است. برای بهبود مقیاس‌پذیری تکنولوژی CMOS، چندین ماسفت غیر کلاسیک پیشنهاد شده‌است. در میان آنها ماسفت‌های RC برتری‌هایی از لحاظ آثار کانال کوتاه دارند چرا که اثر bottom corner در ناحیه‌ی گودشده بر خلاف آثار DIBL عمل می‌کند[1]. به دلیل علاقه‌مندی به این افزاره، مدلسازی و کاربرد ماسفت RC توسط گروه‌های دیگر هم مورد مطالعه قرار گرفته‌است [2-5].  اگرچه ولتاژ آستانه یک پارامتر اساسی برای پیش‌بینی مشخصه‌های I-V افزاره‌ها است، یک مدل تحلیلی و فشرده‌ی آستانه هنوز گزارش نشده‌است.