دانلود مقاله ترجمه شده تنظیم هارمونیک اسیلاتور RF با استفاده از ترانزیستورهای گالیم نیترید HEMT

چطور این مقاله مهندسی برق را دانلود کنم؟

فایل انگلیسی این مقاله با شناسه 2000147 رایگان است. ترجمه چکیده این مقاله مهندسی برق در همین صفحه قابل مشاهده است. شما می توانید پس از بررسی این دو مورد نسبت به خرید و دانلود مقاله ترجمه شده اقدام نمایید برای دریافت لینک دانلود مقاله آدرس ایمیل خود را درج نمایید

مایل به دریافت ترجمه فارسی هستید؟

قیمت :

520,000 ریال

شناسه محصول :

2000147

سال انتشار:

2012

حجم فایل انگلیسی :

264 Kb

حجم فایل فارسی :

517 کیلو بایت

نوع فایل های ضمیمه :

Pdf+Word

کلمه عبور همه فایلها :

www.daneshgahi.com

عنوان فارسي

تنظیم هارمونیک اسیلاتور RF با استفاده از ترانزیستورهای گالیم نیترید HEMT

عنوان انگليسي

Harmonic-Tuned High Efficiency RF Oscillator Using GaN HEMTs

نویسنده/ناشر/نام مجله

IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS

این مقاله چند صفحه است؟

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق شامل 3 صفحه انگلیسی به صورت پی دی اف و 10 صفحه متن فارسی به صورت ورد تایپ شده است

چکیده فارسی

چکیده

در این مقاله تنظیم هارمونیک یک اسیلاتور راندمان بالا با استفاده از ترانزیستور تحرک الکترون بالا گالیم نیترید (HEMTs) طراحی شده است. شبیه سازی هارمونیک (کشش-بار) برای یافتن شکل موج ولتاژ و جریان و قرار دادن امپدانس بار بهینه جهت بهره وری بالا از ترانزیستور انجام شده است. سپس، بر اساس اطلاعات کشش بارالکتریکی یک شبکه فیدبک برای ایجاد نوسان سنتز شده است. برای شبکه فیدبک دار در فرکانسهای هارمونیک، مدارهای تشدید سری به صورت مدار باز به شبکه بار متصل شده اند. بنابراین، بار شبکه را می توان به طور جداگانه از طریق شبکه فیدبک دار جهت ارائه مطلوب امپدانس بار هارمونیک طراحی کرد. به این ترتیب، ترانزیستور موجود در نوسان ساز می تواند شکل موج بهینه ولتاژ و جریان که توسط شبیه سازی هارمونیک بار الکتریکی تعیین شده است، دست یابد. نوسان ساز طراحی شده با استفاده از این روش طراحی، بهره وری حداکثر از 80.2٪ و توان خروجی 35.1 DBM در فرکانس2.42 گیگاهرتز تحت ولتاژ بایاس درین 22 V را نشان میدهد.

کلید واژه: ترانزیستورهای گالیت نیترید HEMT، راندمان، اسیلاتور، RF

1-مقدمه

اسیلاتورهای با کارایی بالا جزء بلوک های مهم منبع توان RF و سیستم های مايكروويو شامل ارتباطات، رادار و انتقال توان بیسیم(WPT) هستند. به عنوان مثال، راندمان تبدیل توان نوسان ساز DC به RF یک فاکتور غالب در تعیین بازده کلی سیستم های WPT است [1]. بنابراین، بسیاری از مقالات برروی طراحی اسیلاتورهای قدرت راندمان بالایRF متمرکز شده اند. در همین راستا حالتهای مختلف سوئیچینگ مانند کلاس E و F به طور گسترده ای برای طراحی نوسان ساز با کارایی بالا استفاده شده اند [2]–[6]. شبکه بار شامل مدارهای رزونانس است که هارمونیک مطلوب را برای تعویض حالات سوئیچینگ تعیین میکنند...

ترانزیستورهای گالیت نیترید HEMT راندمان اسیلاتور :کلمات کلیدی

چکیده انگلیسی

Abstract

A harmonic-tuned high efficiency oscillator is designed using gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs). The harmonic load-pull simulation is performed to find the voltage and current waveforms and to locate the optimum load impedance for high efficiency operation of the transistor. Then, the feedback network for the oscillation is synthesized based on the load-pull data. The series resonant circuit is employed in the feedback network to provide open circuit to the load network at harmonic frequencies. Therefore, the load network can be designed separately from the feedback network to present the optimum harmonic load impedances. In this way, the transistor in the oscillator can achieve the optimum voltage and current waveforms determined by the harmonic load-pull simulation. The fabricated GaN oscillator using the proposed design approach shows the maximum efficiency of 80.2% and output power of 35.1 dBm at 2.42 GHz under drain bias voltage of 22 V

Keywords: GaN HEMT efficiency oscillator RF

این مقاله ترجمه شده مهندسی برق برای گرایش های: مهندسی برق مخابرات،مهندسی برق الکترونیک، کاربرد دارد. سایر مقالات ترجمه شده مهندسی برق مخابرات،سایر مقالات ترجمه شده مهندسی برق الکترونیک، را ببینید. [ برچسب: مقاله ترجمه شده مهندسی برق مخابرات در زمینه تنظیم هارمونیک]