نانو الکترونیک سیلیکونی برای قرن 21
در این قسمت از پورتال آموزش و پژوهش دانشگاهیان (پویان) تحقیق در زمینه نانو الکترونیک سیلیکونی برای قرن 21 به صورت فایل Word برای دانلود ارائه شده است.
پیشرفت تکنولوژی دستگاه ها و رشد بازار الکترونیک از گذشته آغاز شده و در آینده نیز ادامه خواهد داشت.مشاهدات با در نظر گرفتن ملاحظات تکنولوژیکی و اقتصادی روش جدیدی را برای پیش بینی پتانسیل ها و محدودیت های کوچکسازی ماسفت را معرفی می کند.تکنولوژیCMOSسیلیکونی می تواند نیازهای الکترونیکی قرن 21 را برآورده سازد.در این مقاله تلاش های صورت گرفته برای توسعه ماسفت 25نانومتری شرح داده شده است.
CMOS در دو دهه گذشته نقش مهمی در صنایع الکترونیک داشته است. در سال 1997 صنایع نیمه هادی در ایالت متحده آمریکا پروژه های روشنی برای تولید تکنولوژی دستگاههایmµ0.1داشته اند.فراتر از آن هیچ راه حل شناخته شده ای به دلیل عدم قطعیت در مورد پیش بینی ضخامت دی الکتریک گیت̜ ولتاژ تغذیه ̜ غلظت دوپینگSubstrate̜و غیره وجود ندارد.این عدم قطعیت ها باعث بوجود امدن بدگمانی هایی در مورد کوچکسازی CMOSگردیده است.در این مقاله به ارائه یک سناریو درباره تکنولوژی کوچکسازی در قرن 21 پرداخته که میتواند درآینده نه تنها درمورد CMOSکه برای فن آوری های جایگزین برای CMOSنیز مفید باشد.
کوچکسازی ترانزیستور علی رغم مشکلات فنی بسیار در سال های آینده بازهم ادامه خواهد یافت.دیر یا زود بازار الکتونیک جهانی نرخ رشد بسیار سریعی را خواهد یافت.در این مقاله با مثال نشان داده شد که می توان با ساختار thin-body mosfetبر بسیاری از محدودیت ها مثل دوپینگ شدید substrateو نوسانات dopantفائق آمد.کوچکسازی CMOSتا 0.025nmو فراتر از آن امکان پذیر می باشد.صنعت نیمه هادی در سال های آینده رشد چشمگیری خواهد داشت.اگر دستگاه دیگری در آینده جایگزین CMOSشود قاعدتا تولید راحت تر و ارزانتری نسبت به CMOSخواهد داشت.
در این مقاله همچنین با مثال نشان داده شد که CMOSمی تواند تا 25نانومتر و بیشتر کوچک شود و به همین دلیل می تواند نقش بسزایی در نیاز های اصلی مسیر الکترونیک در قرن 21 داشته باشد.