مقالات ترجمه شده در زمینه ترانزیستور - مهندسی برق


لیست مقاله های ترجمه شده مهندسی برق در رابطه با ترانزیستور در این بخش قابل مشاهده بوده و می توانید مقاله های انگلیسی مهندسی برق با ترجمه فارسی آن در رابطه با ترانزیستور را در ادامه مشاهده و دانلود فرمایید.
برای مشاهده همه مقالات ترجمه شده مهندسی برق به صورت موضوع بندی شده کلیک کنید
Single electron transistor: applications & problems
ترانزیستور تک الکترونی: کاربردها و مشکلات
Charge-based continuous model for long-channel Symmetric Double-Gate Junctionless Transistors
مدل پیوسته شارژشونده ترانزیستورهای بدون پیوند دوگیتی متقارن با طول کانال بزرگ
100-mV 44-uW 2.4-GHz LNA in 16 nm FinFET Technology
تکنولوژی 100mV 44-uW 2.4-GHz LNA در FinFET 16 نانومتری
A 0.7 V, 40 nW Compact, Current-Mode Neural Spike Detector in 65 nm CMOS
یک آشکارساز ضربه عصبی حالت- جریان فشرده 0.7 ولتی 40 نانو واتی در CMOS، 65 نانومتری
A Novel Approach for Leakage Power Reduction in Deep Submicron Technologies in CMOS VLSI Circuits
رویکردی نوین برای کاهش توان نشتی در فناوری های ژرف زیرمیکرون (Deep Submicron) در مدارهای CMOS VLSI
Electrical Instability of Double-Gate a-IGZO TFTs With Metal Source/Drain Recessed Electrodes
ناپایداری الکتریکی a-IGZO TFTهای جفت گیت با الکترودهای تورفته سورس/درین فلزی
A Perspective on Symmetric Lateral Bipolar Transistors on SOI as a Complementary Bipolar Logic Technology
آشنایی با ترانزیستورهای دوقطبی جانبی متقارن بر مبنای SOI به عنوان یک تکنولوژی منطقی دوقطبی مکمل
Effect of Phonon Scattering on Intrinsic Delay and Cutoff Frequency of Carbon Nanotube FETs
تاثیر پراکندگی فونون بر تاخیر ذاتی و فرکانس قطع CNTFET ها
A partial-SOI LDMOSFET with triangular buried-oxide for breakdown voltage improvement
طراحی ماسفت LD SOI جزئی با اکسید مدفون شده مثلثی به منظور بهبود ولتاژ شکست
Universal Bias Dependence of Excess Current Induced by Self-Heating Effect for a-Si:H TFTs
On the 60 mV/dec @300 K Limit for MOSFET Subthreshold Swing
سوئینگ زیرآستانه (زیر اشباع) ترانزیستور ماسفت برای مشخصه های ولتاژ 60 mV/dec در دمای 300 K
A Novel Design of Ternary Full Adder Using CNTFETs
طراحی جدید فول ادر مبنای سه با استفاده از CNTFETها
Analytic Threshold Voltage Model of Recessed Channel MOSFETs
مدل تحلیلی ولتاژ آستانه‌ی ماسفت‌های با کانال گود شده
Low Power Full Adder Using MTCMOS Technique
تمام جمع کننده‌ ی توان پایین با استفاده از تکنیک MTCMOS
Transition Frequencies and Negative Resistance of Inductively Terminated CMOS Buffer Cell and Application inMMWLC VCO
فرکانس های انتقال و مقاومت منفی سلول میانگیر CMOS با پایانه قیاسی و کاربرد در MMW LC VCO
Compact core model for Symmetric Double-Gate Junctionless Transistors
مدل هسته کامپکت (کم حجم) ترانزیستورهای بدون پیوند دوگیتی متقارن

سایر منابع مهندسی برق در زمینه ترانزیستور

ترانزیستور تک الکترونی
قیمت : 485,000 ریال شناسه محصول: 2003769
1
برای یافتن منابع بیشتر در زمینه ترانزیستور و رشته مهندسی برق از بخش جستجوی پیشرفته استفاده نمایید. یا سایر کلمات کلیدی مهندسی برق را ببینید.

Skip Navigation Links